何帆
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 液态InGaAs快速凝固过程中的纳米团簇研究
- Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料是继硅材料之后的第二代半导体材料，因具有优异的光学和电学性能被认为是当今重要的光电子和电子器件的基础材料之一。材料的宏观性能由其微观结构决定，在现有的实验条件下，难以对 InGaAs在熔化和凝固过...
- 何帆
- 关键词：快速凝固纳米团簇
- InGaAs晶体固-液相变过程中的拓扑结构的演变机制
- 2017年
- 采用分子动力学模拟InGaAs晶体固-液相变过程,并运用径向分布函数、键角分布函数、配位数统计及可视化等方法,从微观结构的不同层面分析了固-液相变过程的结构演变.结果表明:对于InGaAs体系,固-液相变过程中的微观结构发生了很大的变化,在一级相变时,其原子平均能量和比体积、径向分布函数、键角分布函数、配位数和原子截面图、局部原子分布以及钻石结构分析都显示出很明显的变化.熔化过程中InGaAs晶体原子间共价键发生断裂,体系从四配位结构变成三配位结构,通过占主导作用的三配位结构,结合少量的四配位结构,形成三配位结构之间的互连接和三配位结构穿插四配位结构的连接形成的拓扑无序的液态结构.
- 何帆张晋敏高廷红田泽安梁永超郭笑天卢顺顺陈庆谢泉
- 关键词：分子动力学模拟拓扑结构
- Co含量对Fe_3Si合金磁学性能的影响被引量：1
- 2016年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的赝势平面波法,对过渡金属Co掺杂Fe_3Si进行几何结构优化,计算Co含量对Fe_3Si合金磁学性质的影响.研究表明:Fe_(3-x)Co_xSi的磁性主要来源于过渡金属元素Fe和Co,并且相对于A、C位的Fe和Co原子,B位Fe的原子磁矩较大;在0≤x≤0.75范围内,随着Co含量的增大,Fe_(3-x)Co_xSi的总磁矩缓慢减小,在0.75≤x≤1.5时,其总磁矩迅速地增大;A、C位Fe原子的磁矩和合金总磁矩的变化趋势相同,Co原子的磁矩随着Co含量的增大缓慢地增大,原子的磁矩变化与自旋向上和向下方向的电荷转移有关.
- 贺晓金张晋敏黄晋卢顺顺何帆吴宏仙邵鹏谢泉
- 关键词：SI电子结构磁矩
- 碳纳米管包裹的硅纳米线复合结构的热稳定性研究被引量：2
- 2016年
- 采用经典分子动力学方法模拟一定直径[111]晶向的硅纳米线填充不同扶手椅型单壁碳纳米管复合结构的加热过程,通过可视化和能量分析的方法判断复合结构中硅纳米线和碳纳米管的热稳定性.通过讨论碳纳米管的空间限制作用和分子间相互作用力的关系,对碳纳米管和硅纳米线的热稳定性变化进行初步解释.研究发现碳纳米管中硅纳米线的热稳定性和碳纳米管的直径关系密切:当管径较小时,硅纳米线的热稳定性有所提高,当管径增大到一定大小时,硅纳米线的热稳定性会突然显著地下降,直到硅纳米线与管壁不存在分子间相互作用力,硅纳米线的热稳定性才会恢复.而硅纳米线填充到碳纳米管中对碳纳米管的热稳定性有着明显的降低作用.
- 卢顺顺张晋敏郭笑天高廷红田泽安何帆贺晓金吴宏仙谢泉
- 关键词：分子动力学模拟单壁碳纳米管硅纳米线热稳定性
