吴亚珍
- 作品数：5 被引量：16H指数：3
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- 相关领域：化学工程理学一般工业技术更多>>
- 酸性镀铜添加剂对电沉积循环伏安曲线成核环的影响被引量：10
- 2016年
- 金属电沉积的循环伏安(CV)曲线上的成核环可以用于分析添加剂对电沉积的影响及其作用机理。以常用的3种酸性镀铜添加剂为例,探讨了不同添加剂下成核环的形成特点,并从其成核环的位置以及构成成核环的电流曲线来探讨添加剂对铜沉积的影响及其机理。结果表明:当成核环分别位于不加添加剂的阴极电位和阳极电位方向时,添加剂对金属电沉积分别具有阻化和促进作用;阴极扫描方向电流密度Jb和回扫的阳极电流密度Ja是CV曲线成核环的两个特征参数,添加剂作用下的Ja和Jb与不加添加剂的接近,表明添加剂通过吸附-脱附机理影响金属的沉积,反之表明添加剂在电极表面参与化学反应。
- 辜敏吴亚珍
- 关键词：添加剂铜电沉积
- CuO-SiO2和Cu2O-SiO2薄膜的制备及其光学性能被引量：4
- 2017年
- 以CuSO_4·5H_2O和正硅酸乙酯为前驱体,配制了稳定透明的Cu^(2+)-SiO_2复合溶胶电解液。采用电化学-溶胶凝胶方法,在恒电位-0.9 V下得到Cu-SiO_2复合膜,该复合薄膜分别在250和450℃的热处理后得到Cu_2O-SiO_2和CuO-SiO_2复合薄膜。采用XRD、SEM/EDX和台阶仪表征了复合薄膜的组成、形貌和厚度;采用紫外-可见光谱和Z扫描技术研究了复合薄膜的线性和三阶非线性光学性能。结果表明Cu2O-SiO_2和CuO-SiO_2复合薄膜中的Cu含量、Cu的形态(如Cu_2O、CuO)及Cu_2O或CuO颗粒大小影响薄膜的光学带隙和三阶非线性光学性能,2种薄膜的光学带隙分别是2.67和2.54 eV,三阶非线性极化率χ(3)分别为2.31×10^(-6)和1.36×10^(-6) esu。
- 辜敏陈应龙吴亚珍
- 关键词：光学带隙三阶非线性光学
- 阴极直接制备铜氧化物-SiO_(2)复合薄膜及其电化学形成机理
- 2023年
- 以室温下制备出的n_(Cu)^(2+)∶n_(Cit)^(3-)=2∶1的透明稳定的Cu(Ⅱ)-Cit^(3-)-SiO_(2)复合溶胶为电解液,直接在氧化铟锡导电玻璃(ITO)阴极上电沉积得到铜氧化物-SiO_(2)复合薄膜。循环伏安(CV)和X射线衍射(XRD)结果表明,溶胶中Cu^(2+)与吸附在电极上的SiO_(2)溶胶共电沉积形成Cu_(2)O-SiO_(2)凝胶薄膜,XRD和计时安培(CA)结果表明,薄膜中的SiO_(2)量随过电位升高而减少。X射线光电子能谱(XPS)、XRD和能量色散X射线(EDX)结果表明,高过电位下,SiO_(2)和Cu(Ⅱ)借助析氢生成的OH-共沉积,得到CuO/Cu_(2)O-SiO_(2)薄膜,这与扫描电子显微镜(SEM)图片显示的所得薄膜具有两种不同形貌的颗粒的结果一致。
- 辜敏吴亚珍
- 电化学-溶胶凝胶法直接制备Cu2O/CuO/Cu-SiO2复合薄膜
- 铜氧化物（Cu2O和CuO）/铜（Cu）和SiO2构成的复合材料（Cu2O/CuO/Cu-SiO2）在光子器件、光催化、感应器件等领域具有广泛的应用前景。文献报道的Cu2O/CuO-SiO2复合材料的制备都经过了后续的处...
- 吴亚珍
- 关键词：铜氧化物二氧化硅
- 文献传递
- 不同nCu^2＋∶nCit^3-的Cu(Ⅱ)-Cit^3-SiO2溶胶中电沉积制备CuxO-SiO2复合薄膜被引量：3
- 2016年
- 以醋酸铜(Cu(Ac)2)和正硅酸乙酯(TEOS)为前驱体,柠檬酸钠(Na_3Cit)为配合剂,在室温下制备出物质的量之比n_(Cu^(2+))∶n_(Cit^(3-)) 为1∶1和1∶2的2种透明稳定的Cu(Ⅱ)-Cit^(3-)-SiO_2复合溶胶。以此为电解液,采用恒电位方法,在ITO阴极上直接制备出了Cu_xO-SiO_2复合薄膜。CV(循环伏安)和XRD(X射线衍射)结果表明,在低过电位和高过电位分别得到Cu2_O-SiO_2和Cu/Cu_2O-SiO_2薄膜。XRD和EDX(X射线散射能谱)结果表明,相同沉积条件下,n_(Cu^(2+))∶n_(Cit^(3-)) 为1∶1溶胶中得到的薄膜中Cu含量较1∶2溶胶中的高。薄膜在2种溶胶中的电化学形成机理不同,其原因在于溶胶中Cu(Ⅱ)存在的形式不同。CA(计时安培)和SEM(扫描电镜)结果一致表明,Cu和Cu_2O在2种溶胶中的成核机理与电位有关,随着过电位增大,成核机理从三维连续成核逐渐转向瞬时成核。
- 吴亚珍辜敏
- 关键词：成核机理
