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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇多孔硅
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机构

  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇上海交通大学

作者

  • 2篇赵特秀
  • 2篇王晓平
  • 2篇孙国喜
  • 2篇吴自勤
  • 2篇吕智慧
  • 1篇何贤昶
  • 1篇刘磁辉
  • 1篇叶坚

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇中国科学技术...

年份

  • 1篇1993
  • 1篇1992
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
多孔硅层晶格畸变的X射线双晶衍射研究
1993年
利用X射线双晶衍射方法,对从同一Si(111)基片上切割的两块样品,在不同电解电流密度下,腐蚀形成的多孔硅层相对于基体硅的晶格畸变进行了分析。这两块样品晶格的畸变明显不同。其中电流密度较小的样品畸变较大,其多孔硅层对于基体硅在垂直和平行于晶体表面的方向上,晶格有不同程度的膨胀,搁置一段时间后,两者晶格渐渐匹配,但存在着弯曲。两者的(111)晶面取向亦有偏差。电流密度较大时多孔硅层较厚,其双晶反射强度很低,且弥散地迭加在基体硅反射峰上。
何贤昶吴自勤赵特秀吕智慧王晓平孙国喜
关键词:多孔硅晶格畸变X射线衍射
可见光波段发光多孔硅膜的结构特征研究
1992年
采用在HF溶液中阳极处理硅单晶片的方法制备了具有可见光波段发光特性的多孔硅膜。应用X光衍射技术及激光喇曼散射谱研究了发光多孔硅膜的结构特征。研究结果表明:纳米量级尺寸是多孔硅膜的一个重要特征。估计多孔硅硅柱横截面直径在几到十几纳米之间。
赵特秀吕智慧孙国喜叶坚王晓平刘磁辉吴自勤
关键词:多孔硅散射谱X射线衍射
共1页<1>
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