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高文生

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第五十四研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇噪声温度
  • 1篇增益
  • 1篇频段
  • 1篇频率宽度
  • 1篇功率增益
  • 1篇放大器
  • 1篇C频段
  • 1篇HEMT

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇党耀国
  • 1篇孟立峰
  • 1篇高文生

传媒

  • 1篇无线电工程

年份

  • 1篇1997
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
C频段常温HEMT-FET低噪声放大器被引量：2
1997年
介绍C频段常温HEMT-FET低噪声放大器研制过程中的元件选择、电路设计、关键技术及研制结果。
党耀国高文生薛兆鸣孟立峰
关键词：噪声温度功率增益频率宽度低噪声放大器
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共1页<1>
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