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卢鹏

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：长春理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇半导体
  • 5篇激光
  • 5篇激光光源
  • 5篇光源
  • 5篇半导体激光
  • 5篇半导体激光光...
  • 3篇电子器件
  • 3篇激光器
  • 3篇光电
  • 3篇光电子
  • 3篇光电子器件
  • 3篇半导体光电
  • 3篇半导体光电子...
  • 2篇衍射
  • 2篇衍射极限
  • 2篇腔面
  • 2篇氢离子
  • 2篇离子
  • 2篇激光器腔面
  • 2篇隔离区

机构

  • 6篇长春理工大学

作者

  • 6篇卢鹏
  • 5篇乔忠良
  • 5篇曲轶
  • 5篇高欣
  • 5篇李辉
  • 5篇王玉霞
  • 5篇薄报学
  • 2篇胡源
  • 2篇么艳萍
  • 2篇刘春玲
  • 2篇马建立
  • 1篇刘国军
  • 1篇张宝顺
  • 1篇李林
  • 1篇王晓华
  • 1篇钟景昌
  • 1篇王勇

传媒

  • 1篇光电子技术与...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2005
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
RHEED振荡精确测量AlGaAs生长速率研究
2005年
采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaAs,AlAs和AlGaAs时,实现RHEED图像和RHEED强度振荡的实时监测已被证明是一种有效工具。通过RHEED可讨论GaAs表面结构和生长机制,并可以估算衬底温度,更重要的是能计算出材料的生长速率。RHEED强度振荡周期决定生长速率,每一个周期对应一个单层。实验测量GaAs的生长周期为0.82s,每秒沉积1.22单分子层,AlAs的生长周期为2.35s,每秒沉积0.43单分子层。
李林钟景昌张宝顺王勇卢鹏王晓华刘国军
关键词：分子束外延半导体材料
具有隔离区的主振光放大器
具有隔离区的主振光放大器属于半导体光电子技术领域。该领域已知技术要么器件结构复杂、工艺难度大，要么器件的光束质量差、输出功率低。本发明在刻蚀深刻蚀区的同时刻蚀隔离区，结构简单，成品率高、重复性好、制作成本低，并且，提高了...
薄报学高欣王玉霞李辉卢鹏乔忠良曲轶
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一种半导体激光器腔面钝化方法
一种半导体激光器腔面钝化方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术难度是大幅度提高输出功率，同时使器件的可靠性保持在较高的水平。本发明之一种半导体激光器腔面钝化方法，有效提高输出功率，提升半导体激光器的可靠性...
乔忠良薄报学高欣胡源么艳萍王玉霞刘春玲李辉卢鹏曲轶马建立
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具有隔离区的主振光放大器
具有隔离区的主振光放大器属于半导体光电子技术领域。该领域已知技术要么器件结构复杂、工艺难度大，要么器件的光束质量差、输出功率低。本发明之具有隔离区的主振光放大器由直腔脊形波导主振半导体激光器与锥形光放大器单片集成而成，两...
薄报学高欣王玉霞李辉卢鹏乔忠良曲轶
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反波导大光学腔半导体激光器
反波导大光学腔半导体激光器属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术难以有效降低激光器波导的光学限制因子，增加有效波导宽度，从而提高输出功率，同时使器件的阈值电流保持在较低水平。本发明之反波导大光学腔半导体激光器的波导...
薄报学高欣王玉霞李辉卢鹏乔忠良曲轶
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一种半导体激光器腔面钝化方法
一种半导体激光器腔面钝化方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术难度是大幅度提高输出功率，同时使器件的可靠性保持在较高的水平。本发明之一种半导体激光器腔面钝化方法，有效提高输出功率，提升半导体激光器的可靠性...
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