刘林林
- 作品数：37 被引量：6H指数：1
- 供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>
- 一种确定端口寄生电感及可伸缩模型的方法
- 本发明公开的一种确定端口寄生电感的方法，包括如下步骤：S01：确定待测器件中包含寄生电感的端口；S02：针对每一个含有寄生电感的端口，构建其对应的端口辅助结构；S03：分别建立各端口辅助结构的子电路模型，所述子电路模型中...
- 刘林林冯悦怡王全郭奥周伟
- 一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法
- 本发明公开了一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法，包括以下步骤：S01：建立抽取MOS衬底寄生电阻的等效测试结构，其中，源极数量ns等于漏极数量nd，源漏极的宽度均为lsd，相邻两个源漏极之间间距为l，源极和漏极...
- 刘林林郭奥王全周伟
- 射频MOS器件的建模方法及测试结构
- 本发明提供了一种射频MOS器件的建模方法及测试结构，借助辅助测试结构表征现有去嵌方法无法去除的寄生元件值，并使用这些寄生元件值对得到的MOS器件测试结构原始模型进行修正，从而完整地去除MOS器件测试结构带来的寄生因素，实...
- 刘林林郭奥周伟
- 文献传递
- 利用引入器件判断射频器件去嵌入精度的测试结构及方法
- 本发明公开了一种用于判断射频器件去嵌入精度的测试结构及方法，包括分别测试目标器件测试结构、引入器件测试结构以及辅助测试结构的S参数并分别计算所述目标器件测试结构及引入器件测试结构的去嵌后S参数，根据目标器件测试结构去嵌后...
- 刘林林
- 文献传递
- 40nm CMOS工艺平台多叉指NMOS器件设计与截止频率提升被引量：1
- 2019年
- 随着CMOS工艺节点的发展,MOS器件截止频率因栅长的缩小而越来越高。而简单MOS器件布局因栅极材料电阻率高,寄生电阻大而不利于截止频率的提升。研究了多叉指MOS器件的沟道宽长比、叉指数及其排布和走线,优化MOS器件的寄生参数。经过版图设计与出版流片,验证了40 nm低功耗工艺平台上截止频率可达217 GHz,在77 GHz频率增益超过10dB,是CMOS防撞系统射频前端芯片的工艺平台选择之一。
- 王全刘林林冯悦怡
- 关键词：工艺技术CMOS射频截止频率
- 射频器件在片测试结构与去嵌入方法被引量：3
- 2019年
- 传统的硅基射频频段器件在片测试结构采用器件加辅助测试的pad结构、连线的组合形式,通过量测待测结构和相应的去嵌结构得到各自s参数,再通过算法将在片测试结构附加在器件的寄生去除,从而得到器件本身的性能参数。研究在高于6GHz的频段,应用并比较了开路/短路法、多段线法和四端口法去嵌效果,提出开路/短路法仍是有效实用的去嵌方法,并提出应用开路/短路法在高于6GHz波频段的优化重点在于去嵌结构设计本身。
- 王全刘林林冯悦怡
- 关键词：在片测试射频
- 半导体器件的测试优化方法和系统及建模优化方法和系统
- 本发明公开了半导体器件的测试优化和建模优化方案。其中，测试优化方案基于测试特定非直流参数的测试结构，构建测试结构的辅助结构并进行该非直流参数的测试，基于辅助结构的寄生网络模型和测试结果来计算该测试结构的并联寄生电阻和串联...
- 刘林林郭奥王全周伟
- 一种MOS器件衬底外围寄生电阻的建模方法
- 本发明公开了一种MOS器件衬底外围寄生电阻的建模方法，包括以下步骤：S01建立和MOS器件相对应的环状电阻测试结构，S02建立端头电阻辅助测试结构，S03建立端头电阻可伸缩模型，S04测试环状电阻测试结构的电阻R<Sub...
- 刘林林王全郭奥周伟
- 文献传递
- 校正后道寄生互连线模型的方法
- 本发明的校正后道寄生互连线模型的方法，包括：设计环形振荡器电路，设计MOS器件测试结构，对MOS器件进行mapping测试，校正MOS器件Spice模型，基于MOS器件的测试数据的统计特性，选取用于环形振荡器mappin...
- 刘林林郭奥周伟
- 一种MOS器件的建模方法
- 本发明公开了一种MOS器件的建模方法，包括如下步骤：S01：构建MOS器件的模型电路，其中，模型电路中包括本征晶体管，衬底寄生电阻、寄生电容、寄生二极管、栅极寄生电阻电感网络、源极寄生电阻电感网络和漏极寄生电阻电感网络；...
- 刘林林
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