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谢世义

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：北京京东方光电科技有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇源极
  • 2篇显示装置
  • 2篇漏极
  • 2篇晶体管
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇薄膜晶体管
  • 1篇有源
  • 1篇非掺杂
  • 1篇非晶
  • 1篇掺杂

机构

  • 2篇京东方科技集...
  • 2篇北京京东方光...

作者

  • 2篇姜文博
  • 2篇谢世义

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以减小薄膜晶体管的尺寸。所述薄膜晶体管包括位于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、源极、漏极和有源层，其中，有源层包括非掺杂非晶硅层、第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶...
姜文博谢世义 包智颖
一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以减小薄膜晶体管的尺寸。所述薄膜晶体管包括位于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、源极、漏极和有源层，其中，有源层包括非掺杂非晶硅层、第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶...
姜文博谢世义 包智颖
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