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周飞宇

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 2篇淀积
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇终端结构
  • 2篇耐压性
  • 2篇耐压性能
  • 2篇半绝缘
  • 2篇半绝缘多晶硅
  • 2篇IGBT
  • 1篇导电类型
  • 1篇电阻
  • 1篇浅结
  • 1篇温度
  • 1篇洗涤
  • 1篇方块电阻
  • 1篇N型
  • 1篇掺杂
  • 1篇掺杂剂

机构

  • 3篇株洲南车时代...

作者

  • 3篇周飞宇
  • 3篇刘根
  • 2篇肖海波
  • 2篇马亮
  • 1篇孙小虎

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构
本发明提供一种基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构，其中，方法包括：在第一导电类型衬底顶部淀积第一半绝缘多晶硅薄膜层，第一半绝缘多晶硅薄膜层在第一温度下进行淀积；在第一半绝缘多晶硅薄膜层上淀积第二半绝...
马亮周飞宇肖海波刘根
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基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构
本发明提供一种基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构，其中，方法包括：在第一导电类型衬底顶部淀积第一半绝缘多晶硅薄膜层，第一半绝缘多晶硅薄膜层在第一温度下进行淀积；在第一半绝缘多晶硅薄膜层上淀积第二半绝...
马亮周飞宇肖海波刘根
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一种高浓度N型浅结的制备方法
本发明涉及一种高浓度N型浅结的制备方法，包括：步骤S1，采用N型掺杂剂对半导体衬底进行第一次扩散掺杂，其工艺条件包括：掺杂温度为600-1200℃，掺杂时间为3-10分钟；步骤S2，用洗涤液对步骤S1得到的掺杂后的半导体...
孙小虎周飞宇刘根
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