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吴宇鑫

作品数:8 被引量:7H指数:2
供职机构:武汉科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程电子电信理学建筑科学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇理学

主题

  • 4篇非线性
  • 2篇电容
  • 2篇电容量
  • 2篇电容器
  • 2篇线性度
  • 2篇可调电容
  • 2篇可调电容器
  • 2篇分数阶
  • 2篇乘法器
  • 2篇传输器
  • 1篇电流
  • 1篇电流传输
  • 1篇电流传输器
  • 1篇电路
  • 1篇电路仿真
  • 1篇徐变
  • 1篇压控
  • 1篇陶粒
  • 1篇陶粒混凝土
  • 1篇陶粒混凝土梁

机构

  • 8篇武汉科技大学
  • 1篇武汉交通职业...

作者

  • 8篇吴宇鑫
  • 6篇甘朝晖
  • 2篇李劲松
  • 2篇张士英
  • 1篇朱红兵
  • 1篇蒋旻
  • 1篇吴梦雯

传媒

  • 2篇系统仿真学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇混凝土

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
一种基于压控型忆阻器的忆容器模型被引量:1
2015年
分析了忆阻器与忆容器之间的关系,提出了基于电压控制型忆阻器的忆容器模型.用Pspice软件对该模型进行了仿真实验,发现该模型中忆容器的忆容值与忆阻器的忆阻值成线性关系,忆容器的电压—电荷曲线呈现典型的非线性迟滞回线特性.在验证了所提出忆容器模型正确性的基础上,进一步分析了忆容器的电气特性.
吴梦雯甘朝晖吴宇鑫
关键词:PSPICE
一种带有非线性漂移函数的分数阶忆阻器模型
忆阻器是具有记忆功能的非线性电阻,被公认为第四种基本的电路元件。分数阶忆阻器模型是整数阶忆阻器模型的推广,科研人员已经证实了分数阶忆阻器模型的存在,并分析了分数阶忆阻器模型的响应特性。在分析了现有整数阶和分数阶忆阻器模型...
甘朝晖张士英吴宇鑫
关键词:分数阶
一种忆阻器的分数阶模型及其应用研究
分数阶忆阻器是将忆阻器与分数阶微积分理论进行结合而得到的一种新的概念,近年来已经有科研人员证实了分数阶忆阻器模型的存在,并分析了分数阶忆阻器模型在不同类型激励信号下的响应特性。分数阶忆阻器模型不仅更加精确,而且能使模型的...
吴宇鑫
关键词:电路仿真
一种可调电容器的实现电路
本发明涉及一种可调电容器的实现电路。其技术方案是:第一电流传输器(1)的端子X<Sub>0</Sub>与电阻(6)的端子R<Sub>1</Sub>连接,第一电流传输器(1)的端子Z<Sub>0</Sub>与乘法器(2)的...
甘朝晖张士英吴宇鑫李劲松
钢纤维掺量对陶粒混凝土梁长期变形的影响规律
2024年
为探究钢纤维掺量对陶粒混凝土梁徐变的影响规律,通过长期变形观测试验、理论推导式和有限元建模的方法对不同钢纤维掺量的陶粒混凝土梁的徐变性能开展研究。首先,对4种钢纤维掺量的陶粒混凝土梁开展了连续180 d的徐变挠度观测,获得徐变挠度-加载时间关系曲线、钢纤维掺量对徐变挠度的影响规律曲线;随后,参照ACI209徐变系数计算式和ACI435徐变计算式建立了隐含钢纤维掺量的陶粒混凝土梁徐变计算式;最后,按试验梁参数建立了有限元模型。研究结果表明:陶粒混凝土试件梁加载前期徐变增长较快,随着时间推移徐变增长速率逐渐变缓,加载至120 d后趋于稳定;钢纤维掺量对陶粒混凝土梁徐变影响明显,钢纤维掺量低于0.5%,掺加钢纤维对陶粒混凝土梁的徐变值影响小;钢纤维掺量在0.5%~1.0%时,增加钢纤维掺量能有效地较大幅度降低长期荷载作用下的徐变值;但当钢纤维掺量超过1.0%后降低的效果有所减弱;陶粒混凝土梁徐变计算式计算结果与试验实测值吻合较好,能够很好地反映出陶粒混凝土梁的徐变变化规律;有限元模拟进一步验证了钢纤维掺量对陶粒混凝土梁徐变的影响规律和徐变计算式。
朱红兵吴宇鑫吴宇鑫夏昌煌于亚刚
关键词:陶粒混凝土梁钢纤维掺量徐变计算式
一种可调电容器的实现电路
本发明涉及一种可调电容器的实现电路。其技术方案是:第一电流传输器(1)的端子X<Sub>0</Sub>与电阻(6)的端子R<Sub>1</Sub>连接,第一电流传输器(1)的端子Z<Sub>0</Sub>与乘法器(2)的...
甘朝晖张士英吴宇鑫李劲松
文献传递
一种基于忆阻器的忆容器模型被引量:1
2017年
惠普实验室在发现忆阻器实物以后,研究人员根据电路理论提出了忆容器的概念。但是,直到目前,忆容器的实物还没有被发现。为了研究忆容器,科研人员往往用其它的元件及电路来模拟忆容器。在详细分析了现有的忆容器模型以后,研究了忆阻器与忆容器之间的变换关系,提出了一种新的非线性转换方法以实现忆阻器到忆容器的变换,并在此基础上构造了一种基于忆阻器的非线性忆容器模型。经过Pspice仿真实验发现,该模型成功地模拟了忆容器的基本特性,该模型对忆容器及其相关电路的发展及应用是非常有意义的。
甘朝晖吴宇鑫蒋旻张士英
关键词:非线性
一种带有非线性漂移函数的分数阶忆阻器模型被引量:3
2018年
忆阻器是具有记忆功能的非线性电阻,被公认为第四种基本的电路元件。分数阶忆阻器模型是整数阶忆阻器模型的推广,科研人员已经证实了分数阶忆阻器模型的存在,并分析了分数阶忆阻器模型的响应特性。在分析了现有整数阶和分数阶忆阻器模型的基础上提出了一种带有非线性漂移函数的分数阶忆阻器模型,并对忆阻器在阶跃信号、正弦和非正弦周期信号激励下的响应特性进行了实验分析,结果表明该模型能够较好地模拟分数阶忆阻器的特性,同时分数阶阶次和控制参数对忆阻器特性的影响规律也得到了分析和总结,对忆阻器在电学领域的应用具有一定的参考价值。
甘朝晖张士英吴宇鑫
关键词:分数阶
共1页<1>
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