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高质量单晶立方相MgZnO薄膜的生长制备器件特性研究: 近几年,工作于深紫外区(200-300nm)的半导体光电探测器件已经得到广泛关注,这是由于这一类型的器件广泛用于火焰探测、生物化学制剂探测等方面。作为一种优异的宽禁带半导体材料,MgZnO薄膜很快成为研究热点,成为可以与...; 王立昆; 关键词：MSM 异质结; 文献传递

梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长被引量：1: 2014年; 为了实现MgZnO合金带隙全跨度调制,利用低压MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上采用MgO籽晶层和组分渐变缓冲层控制立方相MgxZn1-xO薄膜的生长,获得了Zn组分达到0.7的单一立方相MgxZn1-xO薄膜,把MgZnO合金带隙调制范围从MgO一侧扩展到了4.45 eV,覆盖了整个日盲紫外波段。对比实验分析表明,这种高Zn组分立方相MgZnO薄膜的生长得益于缓冲层晶格模板的结构诱导作用和适宜的生长温度(350~400℃)。Mg0.3Zn0.7O基MSM结构紫外探测器响应峰位于270 nm,截止波长295 nm。; 郑剑张振中王立昆韩舜张吉英刘益春王双鹏姜明明李炳辉赵东旭刘雷刘可为单崇新申德振; 关键词：缓冲层

热处理对立方相结构Mg_(0.57)Zn_(0.43)O合金薄膜表面和组成的影响(英文): 2011年; MgZnO合金具有可覆盖日盲紫外波段的禁带宽度和晶格匹配的单晶衬底,是理想的日盲紫外探测材料。由于MgO和ZnO分属立方相和六角相,分相问题使高质量单一相MgZnO难以获得。热处理是提高薄膜结晶质量的有效手段。利用MOCVD方法制备了单一立方相Mg0.57Zn0.43O合金薄膜,研究了薄膜的退火行为对薄膜结构和光学性能的影响。研究发现,450℃的原生样品经过550,650,750,850℃氧气氛退火后,薄膜的结晶特性和表面形貌得到明显的改善。随着退火温度的增加,薄膜吸收截止边逐渐蓝移,带隙展宽。X光电子能谱分析发现,随着退火温度增加,Zn含量逐渐减小,这种现象被归结为组分蒸汽压的差异。在退火温度达到950℃时,样品发生了分相,出现了低Mg含量的六角相MgZnO。; 曹建明秦杰明张振中王立昆郑剑韩舜赵延民张炳烨张吉英申德振; 关键词：热退火表面形貌晶粒尺寸

立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法: 立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法属于半导体光电材料制备技术领域，该方法利用LP-MOCVD方法在低温富氧条件下生长立方相MgZnO薄膜，生长条件是：选用蓝宝石和氧化镁衬底，生长室压力为2×10<Sup>4</Sup>P...; 王立昆张吉英郑剑单崇新申德振姚斌赵东旭李炳辉张振中; 文献传递

利用MOCVD在Si衬底上制备立方相Mg_(0.25)Zn_(0.75)O薄膜及日盲探测器: 2014年; 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Si衬底上实现了立方结构的Mg0.25Zn0.75O薄膜生长。在此基础上,实现了Mg0.25Zn0.75O/n-Si异质结型日盲紫外探测器。该探测器在-5 V偏压下,器件暗电流为0.02 m A。在0 V偏压下的峰值响应位于大约280 nm处,响应度为1.2 m A/W。; 王立昆单崇新申德振张振中

m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文): 2014年; 由于在日盲紫外探测方面的应用前景,具有合适带隙的MgZnO合金半导体薄膜受到越来越多的关注。获得具有择优取向的单一相MgZnO对提升MgZnO基日盲紫外探测器性能至关重要。本文利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)方法在m面蓝宝石衬底上制备了一系列不同组分的MgxZn1-xO薄膜。光学和结构特性测试结果表明:Zn摩尔分数达到55%的Mg0.45Zn0.55O薄膜依然是单一立方相,其光学带隙可以达到4.7 eV。立方岩盐结构MgZnO与m面蓝宝石衬底的外延结构关系为(110)MgZnO‖(1010)sapphire、[001]MgZnO‖[1210]sapphire和[110]MgZnO‖[0001]sapphire。唯一确定的面内取向有利于薄膜晶体质量的提高。基于(110)取向立方相Mg0.45Zn0.55O薄膜制备金属-半导体-金属(MSM)结构器件,获得了光响应峰在260 nm、光响应截止波长278 nm的日盲紫外探测器。; 郑剑张振中张吉英刘益春王双鹏姜明明陈星李炳辉赵东旭刘雷王立昆单崇新申德振; 关键词：MOCVD

基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器被引量：2: 2014年; 在超过相变临界厚度的立方相Mg0.29Zn0.71O薄膜上制备了Au插指电极MSM结构探测器件,30 V偏压下的峰值响应度可达27.9 A/W(268 nm),对应的外量子效率为12900%。分析认为原位生长在立方相MgZnO薄膜上的极薄的结构相变层引入了高密度的界面态,在立方相薄膜表面电极接触中起到了降低势垒、减小耗尽层宽度、增强电极注入电子的能力的作用,使得器件形成高的光导增益。; 郑剑乔倩张振中王立昆韩舜张吉英刘益春王双鹏陈星姜明明李炳辉赵东旭刘雷刘可为单崇新申德振

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王立昆