李雪
- 作品数：13 被引量：24H指数：3
- 供职机构：吉林农业大学信息技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金吉林省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：理学文化科学电气工程电子电信更多>>
- 大学物理实验绪论课教学改革探讨被引量：3
- 2013年
- 绪论课是实验教学中的第一节课。绪论课的教学效果,直接影响到学生对实验课的认知和重视程度。针对大学物理绪论课教学现状及存在的问题,从绪论课分阶段教学、讨论环节的加入、数据处理软件的介绍和将绪论考试加入到实验成绩考核等方面提出了具体的改革措施。
- 樊娟娟潘振东李雪
- 关键词：大学物理实验绪论课教学改革
- 晶格匹配InAs/AlSb超晶格材料的分子束外延生长研究
- 2023年
- InAs/GaSb超晶格是量子级联激光器(quantum cascade lase,QCL)和带间级联激光器(interband cascade lasers,ICL)结构中重要的组成,特别是作为ICL的上下超晶格波导层是由大量的超薄外延层(纳米量级)交替生长而成,细微的晶格失配便会直接导致材料晶体质量变差,而且每层的厚度和组分变化会强烈影响材料结构性能.论文研究验证了InAs/GaSb超晶格材料生长的最佳温度约在420℃.通过在衬底旋转的情况下生长40周期短周期GaSb/AlSb和InAs/GaSb超晶格,并采用XRD测量拟合获得了GaSb和AlSb层厚分别为5.448 nm和3.921 nm,以及InAs和GaSb层厚分别为8.998 nm和13.77 nm,误差在10%以内,获得了InAs/AlSb超晶格的生长最优条件.在GaSb衬底上生长晶格匹配的40周期的InAs/AlSb超晶格波导层,充分考虑飘逸As注入对InAs/AlSb超晶格平均晶格常数的影响,在固定SOAK时间为3 s的条件下,通过变化As压为1.7×10^(-6)mbar来调整个超晶格的平均晶格常数,实现了其与GaSb衬底晶格匹配.实验结果表明超晶格零阶卫星峰和GaSb衬底峰重合,具有完美的晶格匹配,尖锐的次阶卫星峰和重复性良好的周期结构也表明优异的超晶格材料结构质量.
- 尤明慧李雪李雪刘国军
- 关键词：分子束外延晶格匹配超晶格材料晶格失配
- 非物理专业大学物理实验课程的现状及改革
- 2013年
- 现阶段,由于多方面因素的影响,非物理专业大学物理实验课程存在着一些问题,本文从社会发展对人才培养的要求出发,对大学物理实验课程的教学现状进行概括,对大学物理实验改革方向进行了分析。
- 李雪邵志国于秀玲樊娟娟
- 关键词：大学物理实验课程改革
- ZnO纳米材料的制备方法及应用被引量：1
- 2013年
- 纳米ZnO作为一种宽禁带直接带隙半导体材料因其具有发光性、压电性、导电性、气敏性、光催化性等诸多的优异性能而被广泛应用。ZnO材料来源广泛、价格低廉、无毒无害、制备方法多样,这些优点使ZnO越来越受到人们关注。本文总结了ZnO纳米材料多种制备方法的实验概况及特点,科研人员可以根据具体需要选择合适的制备方法。并对纳米ZnO的主要应用进行了介绍。
- 李雪李世军樊娟娟
- 关键词：ZNO纳米材料
- 纳米结构二硫化钼的制备及其应用被引量：13
- 2015年
- 二硫化钼是一种典型的过渡金属二元化合物,以其独特的化学、物理性能而备受关注。本文综述了纳米二硫化钼常见的多种形貌结构,包括富勒烯状、球状、花状、线、片、棒、管状等;概述了其常用的制备方法,包括:化学气相沉积法、高温硫化法、剥离法、电化学沉积法、水热及溶剂热法等;总结了纳米结构二硫化钼在润滑、催化、光电器件等领域的研究进展,最后展望了二硫化钼材料的研究前景。
- 翟英娇李金华楚学影徐铭泽李雪方铉魏志鹏王晓华
- 关键词：二硫化钼形貌结构光电器件
- 电化学沉积法制备ZnO纳米材料及其光催化性质研究
- 随着工业和经济的发展,全球环境污染日益严重,光催化法降解有机污染物是目前解决这一问题最有效的途径。半导体催化降解有机物具有操作简便、适用范围广、无毒无害、不造成二次污染等优点,为此越来越受到人们的重视。目前被广泛研究和应...
- 李雪
- 关键词：电化学沉积法ZNO纳米棒掺杂光催化
- 文献传递
- 采用界面失配阵列技术在GaAs衬底上生长GaSb被引量：1
- 2021年
- 采用界面失配阵列(Interfacial Misfit arrays,IMF)技术深入研究了在GaAs衬底上外延生长GaSb,研究了生长温度、Sb:Ga等效原子通量比、AlSb过渡层厚度和GaSb外延层厚度对材料结构质量的影响。其中,生长温度、AlSb过渡层厚度是影响GaSb材料结构质量的重要因素,通过高分辨率X射线衍射(HRXRD)研究,HRXRD测量材料的衍射峰半高全宽(FWHM)值对这两个参数的变化非常敏感,而Sb:Ga等效原子通量比(Effective atomic flux ratio),在富Sb条件下,材料结构质量受其变化影响有限,GaSb衍射峰FWHM值随其变化轻微,但是GaSb材料层结构质量随其厚度增加而提高。优化的条件为GaSb材料生长温度约为515℃,AlSb过渡层厚度为5 nm。制备10 nm厚的GaSb外延层,经HRXRD测试,其衍射峰FWHM值仅为约15 arcsec,与商用GaSb衬底的衍射峰FWHM值相当。生长于其上的量子霍尔器件,在1.8 K及无电场偏压测量条件下,电子迁移率高达1.5×10^(5)cm^(2)/Vs,达到了GaSb衬底上器件性能水平。
- 尤明慧祝煊宇李雪李雪刘国军
- 关键词：分子束外延过渡层
- 掺杂不同价态离子的SrFeO3-δ钙钛矿氧化物的电化学性能
- 2019年
- 采用固相法制备SrFe0.9M0.1O3-δ(M=Zn、Ga、Sn、Nb、W)系列钙钛矿氧化物,并讨论了晶体结构、EDS、化学兼容性、电导率以及作为固体氧化物燃料电池(SOFC)阴极材料的电化学性能。XRD结果显示,掺杂金属离子Zn^2+、Ga^3+、Sn^4+、Nb^5+和W^6+很好地稳定了SrFeO3-δ钙钛矿的结构,并且所有样品均呈现单一钙钛矿结构,没有产生明显的杂相。EDS图谱显示合成的样品具有很好的化学均匀性。在950℃以下SrFe0.9M0.1-O3-δ(M=Zn、Ga、Sn、Nb、W)阴极与LSGM电解质材料都具有良好的化学相容性。随着掺杂离子的价态升高,样品的电导率最大值逐渐降低。在800℃下测量掺杂金属离子Zn^2+、Ga^3+、Sn^4+、Nb^5+和W^6+的SrFeO3-δ阴极的极化电阻,得出SrFe0.9Zn0.1O3-δ样品的极化电阻值最小的结果。以SrFe0.9M0.1O3-δ(M=Zn、Ga、Sn、Nb、W)作为阴极、LSGM为电解质的单电池在800℃时的最大功率密度随着掺杂离子价态的升高而下降,掺杂Zn的样品的功率密度最大值达到了593mW·cm^-2。
- 于秀玲梁雪梅李雪
- 关键词：固体氧化物燃料电池钙钛矿氧化物电导率阴极极化电阻
- 高质量ZnO微米棒的制备及其光学性质(英文)被引量：1
- 2008年
- 利用水热法制备ZnO微米棒。醋酸镁[Mg(CH3COO)2.4H2O]、醋酸锌[Zn(CH3COO)2.2H2O]和六次甲基四胺(C6H12N4)以一定比例配置成反应溶液,把反应溶液加热到90℃,反应时间为24h,能够在硅衬底上生长高质量的ZnO微米棒。用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪对ZnO微米棒的晶体结构和表面形貌进行了分析,结果表明,样品为细长条棒状结构,呈现六方纤锌矿结构,长径比可达10∶1,并且在[002]方向择优生长。在样品中并未发现镁离子,它有可能扮演着催化剂的角色。对ZnO微米棒的光致发光性能进行测量,由PL光谱分析可知,样品在384nm处有一个紫外发光峰,半峰全宽为13nm,紫外发光峰强度比可见发光峰强度大的多,样品的质量较好。
- 李雪李金华方铉魏志鹏王晓华
- 关键词：水热法光致发光
- 基于花状MoS2微米材料的葡萄糖生物传感器的制备及其性能研究被引量：3
- 2016年
- 本研究采用水热法制备了花状MoS_2微米材料,将其作为电极构建葡萄糖生物传感器,并研究了相关性能。结果表明：水热法制备的MoS_2呈花状,具有较好的结晶质量,尺寸约为3.6μm,比表面积约为9.646 m2/g;MoS_2电极具有优良的电催化活性,且电阻抗较小,使得传感器对葡萄糖具有较好的响应。葡萄糖检测结果表明,该传感器在0~20 mmol/L范围内,氧化峰电流与葡萄糖浓度呈良好的线性关系,相关系数（R）为0.9653,灵敏度为262μA·L/mmol。
- 赵得瑞翟英娇李金华楚学影徐铭泽李雪方铉魏志鹏王晓华
- 关键词：MOS2水热法生物传感器
