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毕美

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇冶金工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇频率选择表面
  • 3篇隐身
  • 3篇天线
  • 3篇通带
  • 3篇吸波
  • 3篇吸波性能
  • 3篇宽带
  • 3篇雷达
  • 2篇电磁波吸收
  • 2篇天线罩
  • 2篇温度不敏感
  • 2篇吸波结构
  • 2篇二极管
  • 2篇变容二极管
  • 2篇超材料
  • 2篇磁存储
  • 2篇磁损耗
  • 1篇带通
  • 1篇等效
  • 1篇等效模型

机构

  • 16篇电子科技大学

作者

  • 16篇毕美
  • 12篇翁小龙
  • 8篇李志明
  • 3篇陆海鹏
  • 3篇张丽
  • 3篇谢建良
  • 3篇邓龙江
  • 2篇王昕
  • 2篇李凯
  • 2篇刘睿
  • 2篇侯志华
  • 1篇梁迪飞

传媒

  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 7篇2025
  • 3篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于主动调控超表面的宽频隐身材料及制备方法
本发明提供一种基于主动调控超表面的宽频隐身材料及制备方法，从上到下依次为：十字结构电阻型频率选择表面、第一、第二介质层、方环结构电阻型频率选择表面、第三、第四介质层、多分形结构有源频率选择表面、第五层介质层、多分形结构有...
翁小龙易湑毕美李志明
一种高超音速飞行器天线罩的高温介电等效建模方法
本发明属于天线罩技术领域，具体涉及一种高超音速飞行器天线罩的高温介电等效建模方法。本发明充分考虑了流线型天线罩从罩体顶部到底部、罩体外表面到内表面等方向都存在的复杂温度梯度分布情况；同时，还考虑了罩体材料导热系数随温度变...
毕美段维翁小龙李志明
基于互补结构的高选择性三带通频率选择表面
本发明提供一种基于互补结构的高选择性三带通频率选择表面，从上至下依次为第一复合层、第二复合层、第三复合层，相邻复合层之间由泡沫层相互隔离，中间金属层：包括若干方形单元，每个方形单元包括最外层为方形环，方形环内部为一个四角...
毕美李志明翁小龙廖明
一种温度不敏感型超材料的设计方法
本发明涉及电磁功能材料技术领域，具体涉及一种温度不敏感型超材料的设计方法。本发明采用介电补偿的设计方法，分别分析基底介电和电磁调控层电性能对超材料吸波结构吸波性能的影响，提取数量关系并提出补偿公式，即通过电磁调控层材料电...
毕美李凯翁小龙李志明
铁磁薄膜的微观结构及其高频磁响应特性研究
铁磁性材料在GHz频段表现出的优异磁动态特性,使得其在微波器件、抗电磁干扰、微波吸收等高频领域有广泛的应用前景。随着电子设备不断小型化的趋势,磁性元器件也必然会向着薄膜甚至图形化的方向发展。目前,对于铁磁薄膜的相关研究主...
毕美
关键词：铁磁薄膜磁结构微波频段微磁学
文献传递
一种主动调控宽带透波FSS材料
本发明属于电磁波控制技术领域，特别涉及一种主动调控宽带透波FSS材料。本发明采用三层结构，通过图形化的上、下金属层设计，辅以8个变容二极管，通过调整变容二极管的容值，实现双通带的高带宽范围同时主动调谐，通带1和通带2都具...
毕美廖明翁小龙刘士锦
具备有序结构的电/磁协同损耗电磁波复合材料及制备方法
本发明提供了一种具备有序结构的电/磁协同损耗电磁波复合材料及制备方法，属于电磁功能材料技术领域。所述方法包括MXene纳米片、MXene@Ni的DMSO分散液、PU DMSO溶液、蜂窝型MXene@Ni四部分，采用HF刻...
翁小龙刘睿毕美张丽
一种主动调控隐身陶瓷天线罩及其设计方法
本发明属于电磁波控制领域，具体为一种主动调控隐身陶瓷天线罩及其设计方法。本发明天线罩集成陶瓷外罩，基于通过对目标天线罩的参数性能需求、所用陶瓷材料随温度的变化情况进行定向的超表面通带范围设计，再辅以可控频率选择表面的定向...
毕美廖明翁小龙杨铭川
一种软/硬磁交换耦合结构
本发明涉及磁性材料与元器件领域，具体涉及一种软/硬磁交换耦合结构。本发明通过将现有嵌入型软/硬磁交换耦合结构中的硬磁材料分为两部分且由软磁材料层隔离形成新的软/硬磁交换耦合结构，通过微磁学模拟可见该结构能够有效降低高磁晶...
陆海鹏侯志华毕美王昕谢建良邓龙江
文献传递
一种纳米单元结构的涡旋态磁存储单元
本发明公开了一种纳米单元结构的涡旋态磁存储单元。该涡旋态磁存储单元结构为普通圆盘形磁涡旋结构单元边缘加厚形成凹槽状的圆盘形结构，凹槽外径D的最小值为80nm,其凹槽深4-68nm，凹槽内径d大于8nm，单元整体厚度为16...
邓龙江毕美王昕张丽陆海鹏谢建良
文献传递
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共2页<12>
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