王鸥
- 作品数：5 被引量：12H指数：2
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 利用红外反射光谱法研究6H-SiC表面的SiO_2特性被引量：6
- 2003年
- 通过干氧氧化的方法,在6H SiC表面生长一层SiO2层,接着置于N2气氛中经过不同的温度退火,使用红外显微仪分别测量退火前后的红外反射谱,通过观测表面氧化层SiO2的红外反射谱图中特征反射峰位(1090cm-1附近)的变化,以判断退火前后表面氧化层密度的变化情况,进一步推断氧化层的结构变化与杂质类型.
- 刘洪军王鸥邬瑞彬龚敏
- 关键词：6H-SICSIO2红外反射退火
- 电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱
- 2006年
- 对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n m的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在500℃下消失,而退火温度高于700℃时D1中心出现.考虑到产生C空位和Si空位所需的位移阈能以及热退火行为,说明S1/S2/S3为初级Si空位初级缺陷,而D1中心为二次缺陷.
- 钟志亲龚敏王鸥余洲杨治美徐士杰陈旭东凌志聪冯汉源BelingCD
- 关键词：6H-SIC辐照
- n-GaN肖特基势垒光敏器件的电子辐照效应被引量：5
- 2005年
- 本文主要研究了n型GaN肖特基紫外光敏器件(包括GaN肖特基势垒紫外探测器,GaN肖特基二极管)的电子辐照效应和失效机理,以及辐照后二极管对不同波长光的光敏特性的变化。从实验中观测到,随着辐照注量的不断增加,GaN光敏器件的击穿电压明显减小,反向漏电流逐渐增大。证实了辐照后Au/GaN间产生的界面态是引起GaN肖特基势垒光敏器件辐照失效的原因。另外,在研究辐照效应对GaN肖特基二管光敏特性的影响时观测到,经过一定剂量的辐照后,GaN肖特基二管能探测到380nm的紫外光和可见光,而在辐照以前,它是探测不到的。这说明辐照效应将导致肖特基势垒光敏器件对较长波长的吸收,使得UV探测器中可见光成分的背景噪声增加。
- 刘畅王鸥袁菁钟志亲龚敏
- 关键词：电子辐照紫外探测器肖特基二极管
- 6H-SiC辐照特性的低温光致发光研究被引量：1
- 2004年
- 本文用低温光致发光(LTPL)技术对经中子辐照的N型6H-SiC在350℃-1650℃温度范围的退火行为进行了研究。在700℃退火后观察到D1中心(D1-center)和位于485.0nm、493.6nm处的发光中心。我们发现D1中心与深能级瞬态谱(DLTS)的E1/E2深能级对具有不同的退火行为,这否定了它们源于相同的辐照诱生缺陷的观点。D1中心可能源于由空位和反位组成的复合体。
- 王鸥丁元力钟志亲袁菁龚敏Chen X DFung SBeling C D
- 关键词：退火处理
- 宽禁带半导体的辐照效应研究
- 该文对GaN和6H-SiC的辐照效应进行了研究.我们使用了光致发光(PL)技术.在经过0.3MeV、0.5MeV、1MeV和1.7MeV能量电子辐照的n型GaN材料中,发现不同能量的辐照诱生了两种不同的缺陷.由0.3Me...
- 王鸥
- 关键词：GAN6H-SIC光致发光深能级瞬态谱
- 文献传递
