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苏宇佳

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：北京七星华创电子股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 8篇晶片
  • 5篇气液两相
  • 5篇雾化
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体晶片
  • 3篇电晶体
  • 3篇压电晶体
  • 3篇清洗方法
  • 3篇晶体
  • 3篇工艺技术
  • 3篇过氧化氢
  • 2篇掩模
  • 2篇氧化剂
  • 2篇硫酸铵
  • 2篇流量控制装置
  • 2篇光掩模
  • 2篇腐蚀速率
  • 2篇副产物
  • 1篇气动
  • 1篇气动阀

机构

  • 8篇北京七星华创...

作者

  • 8篇苏宇佳
  • 8篇吴仪
  • 3篇马嘉
  • 3篇黄金涛

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2014
  • 4篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种蚀刻剂及其制备和应用
本发明提供一种蚀刻剂，其是由硫酸和过硫酸铵组成，过滤酸铵的质量浓度为1-25%。硫酸为98%质量浓度的硫酸。本发明还提出制备该蚀刻剂的方法，其是将过硫酸铵加入100-200℃的硫酸中。本发明用过硫酸铵替代氧化剂过氧化氢。...
萨莉·安·亨利黄金涛马嘉吴仪苏宇佳
气液两相雾化流量可控清洗装置及清洗方法
本发明提供了一种气液两相雾化流量可控清洗装置，涉及半导体晶片工艺技术领域，包括气体主管路、液体支管路、压电晶体，所述气体主管路的下端外侧壁设有与其贴合的环形结构的压电晶体，通过控制所述压电晶体的电压使所述压电晶体产生形变...
苏宇佳吴仪
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气液两相雾化流量可控清洗装置及清洗方法
本发明提供了一种气液两相雾化流量可控清洗装置，涉及半导体晶片工艺技术领域，包括气体主管路、液体支管路、压电晶体，所述气体主管路的下端外侧壁设有与其贴合的环形结构的压电晶体，通过控制所述压电晶体的电压使所述压电晶体产生形变...
苏宇佳吴仪
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一种蚀刻剂及其制备和应用
本发明提供一种蚀刻剂，其是由硫酸和过硫酸铵组成，过滤酸铵的质量浓度为1-25%。硫酸为98%质量浓度的硫酸。本发明还提出制备该蚀刻剂的方法，其是将过硫酸铵加入100-200℃的硫酸中。本发明用过硫酸铵替代氧化剂过氧化氢。...
萨莉·安·亨利黄金涛马嘉吴仪苏宇佳
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一种抗蚀剂剥离液及其应用
本发明提供了一种新型的抗蚀剂剥离液，其为分析纯高氯酸和分析纯硫酸按1:6-20的体积比复配得到的混合液。使用时，将待处理的晶片投入到所述抗蚀剂剥离液中5至20分钟即可。本发明提供的抗蚀剂剥离液，与传统的过氧化氢和硫酸的混...
萨莉·安·亨利查理·彼得森黄金涛马嘉吴仪苏宇佳
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一种气液两相雾化清洗装置
本实用新型公开了一种气液两相雾化清洗装置，涉及半导体晶片工艺技术领域，所述装置包括气液两相雾化喷头，所述气液两相雾化喷头为双层夹套结构，包括喷嘴、旋转臂、气体导管、液体导管，所述喷嘴与旋转臂连接，所述气体导管和液体导管固...
苏宇佳吴仪
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气液两相雾化流量可控清洗装置
本实用新型提供了一种气液两相雾化流量可控清洗装置，涉及半导体晶片工艺技术领域，包括气体主管路、液体支管路、压电晶体，所述气体主管路的下端外侧壁设有与其贴合的环形结构的压电晶体，通过控制所述压电晶体的电压使所述压电晶体产生...
苏宇佳吴仪
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一种气液两相雾化清洗装置及清洗方法
本发明公开了一种气液两相雾化清洗装置，涉及半导体晶片工艺技术领域，所述装置包括气液两相雾化喷头，还包括液相流体的流量控制装置。本发明的气液两相雾化清洗装置在清洗过程中增加了垂直于晶片沟槽的物理力，促进晶片沟槽中杂质和污染...
苏宇佳吴仪
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