李小龙
- 作品数：43 被引量：30H指数：4
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法
- 本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数；确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件；获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度；提取不同温度下的产生‑复合(G...
- 于新王信玛丽娅·黑尼刘默寒李小龙李豫东郭旗
- 一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法
- 本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法，主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量，辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射...
- 孙静荀明珠刘海涛张兴尧李小龙崔江维郑齐文李豫东郭旗
- 一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法
- 本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶...
- 郑齐文崔江维李小龙魏莹余学峰李豫东郭旗
- 文献传递
- 双多晶自对准NPN管的总剂量辐射效应研究被引量：3
- 2018年
- 对国产先进互补双极工艺制作的双多晶自对准(DPSA)结构的NPN管进行了高、低剂量率的^(60)Co-γ源辐射实验。在总剂量辐射前后以及室温退火后,分别采用移位测试方法,研究了基极电流、集电极电流、电流增益等参数的变化规律。结果表明,DPSA NPN管比传统NPN管的抗辐射能力更强,但其低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)改善不明显。最后,初步探讨了DPSA NPN管的辐射损伤机制,讨论了DPSA NPN管的抗ELDRS效应的机制。
- 贾金成陆妩吴雪张培健孙静王信李小龙刘默寒郭旗郭旗
- 关键词：^60CO-Γ辐射
- 典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估被引量：4
- 2018年
- 采用变剂量率和变温两种辐照方法,对4款典型模拟电路的低剂量率辐照损伤特性及变化规律进行了研究与评估,分析了两种辐照方法下其辐照敏感参数的变化,比较了不同辐照方式下器件的退化程度,讨论了这两种实验室加速评估低剂量率辐照损伤方法的机理.结果显示,变剂量率辐照可以较快地预测实际低剂量率下的辐照损伤趋势,且在较低的总剂量下能够给出不太保守的估计,但其预测的总剂量受到器件退化速度的影响;变温辐照加速评估方法能够保守地估计其低剂量率下的辐照损伤,其评估范围不仅可达1000 Gy(Si),且可将评估时间缩短为12 h左右.研究结果表明,双极电路的低剂量率辐照损伤增强效应与感生的界面态密度和氢化的氧空位缺陷有关,辐照时剂量率和温度的改变会促进界面态的生长,抑制界面态的钝化作用,从而激发器件的辐照损伤潜能.
- 李小龙陆妩陆妩王信何承发郭旗何承发孙静于新姚帅魏昕宇
- 一种同批次商用VDMOS器件的总剂量辐射效应预估方法
- 本发明提供一种同批次商用VDMOS器件的总剂量辐射效应预估方法，主要解决现有的预估方法可能高估器件的抗辐射能力，而导致同批次内器件存在应用风险的技术问题。该方法包括以下步骤：准备样品；辐照前参数测试；挑选试验样品；总剂量...
- 崔江维郑齐文李小龙李豫东郭旗
- 偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响
- 2020年
- 本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数十千戈瑞,基极电流对辐射更敏感。不同偏置条件下,器件TID累积到12 kGy(Si)时,反偏损伤最大,零偏次之,正偏增益退化最小。发现其主要机制是高剂量率辐射及外加偏置引入的边缘电场影响氧化层中诱导氧化物陷阱电荷和界面态产生,导致基极辐射敏感区增大,基极电流增大,从而使器件增益减小。
- 王利斌王信吴雪李小龙刘默寒陆妩
- 关键词：SIGEBICMOS偏置条件界面态
- 不同结构的横向PNP型晶体管低剂量率辐照增强效应研究
- 2025年
- 采用相同工艺制作的横向PNP晶体管进行了低剂量率辐照实验,研究了不同周长面积比、不同基区有效宽度、不同发射极面积及不同氧化层厚度的双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应。实验结果表明:通过提高横向PNP管周长面积比、减小基区有效宽度、增加发射极面积和减薄氧化层厚度,在低剂量率下横向PNP双极晶体管辐照前后增益降低小于50%,且辐照后增益大于100,大幅度提升了横向PNP管的抗辐射能力。
- 税国华朱梦蝶龙翠平李小龙甘和红湛逍逍陈俊吉李向林成鹏
- 关键词：氧化层厚度
- 一种含有长期低剂量率辐照的复合环境试验加速方法
- 本发明涉及一种含有长期低剂量率辐照的复合环境试验加速方法，该方法利用温度阶梯辐照识别双极工艺器件的低剂量率损伤增强（ELDRS）效应，并将氢注入作为复合环境地面模拟试验的加速条件，基于辐射损伤因子的表征，对于具有低剂量率...
- 李小龙王信 刘默寒于新郑齐文孙静李豫东郭旗陆妩
- BCD工艺栅极驱动器总剂量效应
- 2025年
- 针对一款BCD工艺栅极驱动器,采用环栅结构进行总剂量效应加固。通过^(60)Co γ辐照试验,对比了加固和非加固器件电学参数随剂量变化情况。结果表明,总剂量辐射会导致器件的输出电压与电流特性发生退化,出现转换电压下降与输出电流上升的现象,同时发现总剂量辐射对输出电阻几乎无影响。对比两种栅极驱动器辐照前后的测试结果,证明环栅加固方法对抑制总剂量辐射引起的边缘漏电有一定的效果,但辐照总剂量达到500 krad(Si)时,加固器件发生功能失效。通过仿真模拟各级晶体管辐射损伤对器件最终输出结果的影响,确定初级施密特反相器内阈值电压漂移影响转换电压,而末级晶体管阈值电压漂移导致输出高电平下降。
- 许世萍崔江维郑齐文郑齐文邢康伟李小龙施炜雷李小龙李豫东施炜雷
- 关键词：BCD工艺栅极驱动器总剂量效应
