代秀松
- 作品数：2 被引量：6H指数：1
- 供职机构：上海师范大学数理信息学院物理学系更多>>
- 发文基金：上海市教育委员会创新基金国家自然科学基金上海市浦江人才计划项目更多>>
- 相关领域：理学机械工程更多>>
- CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷在太赫兹频段的介电特性研究被引量：6
- 2015年
- 针对太赫兹（1 THz=1012Hz）电容器件发展的需求,研究了呈现巨介电和不呈现巨介电两种状态Ca Cu3Ti4O12（CCTO）陶瓷在THz波段的介电响应特性。在微波波段,小颗粒（Φ〈2μm）CCTO的介电常数εr〈700,无巨介电特征,而大颗粒（Φ〉10μm）CCTO的εr〉2000,呈现巨介电特征;两组CCTO陶瓷的介电损耗值Tanδ在0.1~0.6之间。然而,在THz波段,两种颗粒度CCTO的介电常数几乎完全相等（εr=72±3）,且损耗不超过0.18。实验结果表明,CCTO陶瓷组分的离子极化率主导了在THz波段的介电常数εr,而大颗粒CCTO对THz电磁波的散射超过小颗粒CCTO,导致介电损耗值Tanδ上升。因此,在THz波段,降低CCTO颗粒大小不会影响介电常数,反而能够降低介电损耗。这一结果表明CCTO陶瓷是制备THz波段电容的理想介电材料。
- 代秀松赵振宇何晓勇石旺舟
- 关键词：频谱特性散射
- Nd_2O_3掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷在太赫兹频段的介电调制作用
- 2016年
- 报道了通过Nd2O3掺杂实现对Ca Cu3Ti4O12(CCTO)介电陶瓷在太赫兹(THz)波段介电常数和损耗的调制。采用固相反应法制备了Nd2O3掺杂的CCTO样品。结构分析表明Nd离子掺杂不影响陶瓷的主晶相结构;形貌表征显示Nd离子掺杂的CCTO陶瓷晶粒尺寸随掺杂质量百分比增加而呈现先增大后减小的趋势,对晶粒有明显的细化作用;THz测试结果显示CCTO的实介电常数与晶粒尺寸变化趋势相反;介电损耗和晶粒尺寸变化趋势相同。结果表明,通过Nd2O3掺杂调制CCTO晶粒的大小,能够实现对THz波段的介电调制功能。
- 代秀松赵振宇宋志强何晓勇石旺舟
- 关键词：频谱特性散射
