谢凡
- 作品数：5 被引量：7H指数：1
- 供职机构：北京师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市科技新星计划教育部“优秀青年教师资助计划”更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术机械工程更多>>
- 二维BLOCH电子准经典霍耳输运的分支解及其分析
- 1998年
- 在非极低温情况下，数值求解二维Bloch电子准动量在电场和磁场作用下满足的非线性方程组，结果呈现出奇特的非线性现象．在电场一定的情况下，随着磁场的增加，方程组不断以切分岔的形式出现新的分支解，并对这些分支解的稳定性进行了讨论，分析了在某些磁场强度附近电子准动量的跳变及其与电场强度的关系．
- 田强谢凡马本堃
- 关键词：分支解
- 新结构端面入射条形X射线探测器的研究
- 选择高阻N型<100>单晶硅材料,X射线探测器为PIN管结构.为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区,以减少器件的暗电流.通过对比实验发现,当N区的注入量增大时,在相同反向偏压...
- 谢凡北京师范大学低能核物理研究所(北京)杜树成韩德俊
- 关键词：X射线探测器暗电流密度半导体材料
- 文献传递
- 带保护环结构的条形X光阵列探测器被引量：7
- 2003年
- 研究了带有保护环结构的条形 X光阵列探测器 ,结果表明 ,保护环的存在不仅降低了表面漏电 ,而且抑制了耗尽区的侧向扩展 .厚度为 30 0 μm的探测器样品 ,切割后的“死区”长度为 15 0 μm;环境温度为 18℃时 ,70 V偏压下加保护环测得的探测器完全耗尽时的漏电流为 2 0 n A.
- 盛丽艳韩德俊张秀荣田晓娜王传敏杜树成谢凡王光甫
- 关键词：死区漏电流保护环
- 条形高阻单晶硅二极管X射线探测器的研究
- 在该论文中,作者研究了在高阻N型<100>单晶硅材料上的条形低能医用X射线探测器.目前半导体X射线探测器的研究集中在PIN结构,选用的材料有Si、GaAS、Ge、HgI<,2>、CdTe等.条形低能医用硅X射线探测器能直...
- 谢凡
- 关键词：X射线探测器PIN结构暗电流保护环
- 文献传递
- 离子注入减小条形射线探测器表面漏电的研究
- 2001年
- 选择高阻N型〈10 0〉单晶硅材料 ,X射线探测器为PIN管结构 .为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响 ,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区 ,以减小器件的暗电流 .通过对比实验发现 ,当N区的注量增大时 ,在相同反向偏压条件下 ,器件的暗电流密度随之减小 ,同时击穿电压也相应减小 .为了减小器件的工作电压并进一步减小工作时的暗电流密度 ,还将器件的背面进行厚度减薄、抛光和AuSb/Au合金形成欧姆接触 .对减薄后的器件进行I V特性测量 ,由于工作电压大幅降低 ,器件正常工作时的暗电流密度大幅度减小 .同时在实验中发现温度对暗电流的影响非常大 ,将器件温度降低到 - 15℃时 ,暗电流密度可降低到 1nA·mm- 2 以下 .
- 谢凡杜树成韩德俊
- 关键词：X射线探测器暗电流密度离子注入
