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潘静

作品数：2 被引量：36H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇电子学
  • 1篇碳化硅
  • 1篇微波电子学
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇半导体器件
  • 1篇MOCVD

机构

  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 2篇潘静
  • 1篇杨银堂
  • 1篇袁明文
  • 1篇杨克武

传媒

  • 2篇半导体情报

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1999
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
SiC半导体材料及其器件应用被引量：34
2000年
分析了 Si C材料的结构类型和基本特性 ,介绍了 Si C单晶材料的生长技术及器件工艺技术 ,简要讨论了 Si C器件的主要应用领域和优势。
杨克武潘静杨银堂
关键词：半导体材料半导体器件碳化硅
氮化镓微波电子学的进展(续)被引量：2
1999年
袁明文潘静
关键词：氮化镓微波电子学MOCVD
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共1页<1>
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