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和峰

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：国家纳米科学中心更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇碳纳米管
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米管
  • 3篇石墨
  • 3篇场发射
  • 2篇多孔薄膜
  • 2篇预先设计
  • 2篇原位生长
  • 2篇石墨烯
  • 2篇驱动电压
  • 2篇金刚石薄膜
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘体
  • 2篇类金刚石
  • 2篇类金刚石薄膜
  • 2篇碳
  • 2篇表面性质
  • 2篇场发射性能
  • 2篇场发射阴极
  • 1篇电流

机构

  • 6篇国家纳米科学...

作者

  • 6篇裘晓辉
  • 6篇戴庆
  • 6篇杨晓霞
  • 6篇和峰
  • 6篇李振军
  • 6篇白冰
  • 4篇李驰
  • 2篇孔祥天

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种石墨烯和碳纳米管三维结构材料的制备方法
一种石墨烯和碳纳米管三维结构材料的制备方法，包括如下步骤：(1)制备石墨烯的生长基底；(2)生长石墨烯；在步骤(1)制备的石墨烯的生长基底之上采用化学气相沉积方法生长石墨烯；任选进行(3)石墨烯的转移和图形化；(4)制备...
李振军和峰白冰杨晓霞孔祥天裘晓辉戴庆
文献传递
一种利用类金刚石薄膜提高碳纳米管场发射性能的方法
本发明涉及一种利用类金刚石薄膜(DLC)提高碳纳米管(CNT)场发射性能的方法。所述方法在CNT表面包覆DLC，从而提高CNT的场发射性能。DLC薄膜具有负的表面亲和势特性，可以改变CNT的表面性质，降低CNT场致发射的...
李振军和峰白冰杨晓霞李驰裘晓辉戴庆
文献传递
一种石墨烯薄膜场发射阴极
本发明涉及一种石墨烯薄膜场发射阴极。所述石墨烯薄膜场发射阴极包括阴极基底和覆盖于阴极基底上的石墨烯薄膜；所述石墨烯薄膜上设置有多孔阵列。本发明通过制备多孔薄膜结构，可以充分提高石墨烯薄膜的边缘比例，进而提高其大电流发射能...
李驰白冰李振军和峰杨晓霞裘晓辉戴庆
文献传递
一种多孔石墨烯薄膜场发射阴极
本发明涉及一种多孔石墨烯薄膜场发射阴极。所述多孔石墨烯薄膜场发射阴极包括阴极基底和覆盖于阴极基底上的多孔石墨烯薄膜；所述多孔石墨烯薄膜上设置有多孔阵列。本发明通过制备多孔薄膜结构，可以充分提高石墨烯薄膜的边缘比例，进而提...
李驰白冰李振军和峰杨晓霞裘晓辉戴庆
文献传递
一种石墨烯和碳纳米管三维结构材料的制备方法
一种石墨烯和碳纳米管三维结构材料的制备方法，包括如下步骤：(1)制备石墨烯的生长基底；(2)生长石墨烯；在步骤(1)制备的石墨烯的生长基底之上采用化学气相沉积方法生长石墨烯；任选进行(3)石墨烯的转移和图形化；(4)制备...
李振军和峰白冰杨晓霞孔祥天裘晓辉戴庆
文献传递
一种利用类金刚石薄膜提高碳纳米管场发射性能的方法
本发明涉及一种利用类金刚石薄膜(DLC)提高碳纳米管(CNT)场发射性能的方法。所述方法在CNT表面包覆DLC，从而提高CNT的场发射性能。DLC薄膜具有负的表面亲和势特性，可以改变CNT的表面性质，降低CNT场致发射的...
李振军和峰白冰杨晓霞李驰裘晓辉戴庆
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