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陆丛研

作品数：38 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 38篇中文专利

主题

  • 20篇晶体管
  • 14篇存储器
  • 12篇薄膜晶体
  • 12篇薄膜晶体管
  • 8篇电极
  • 8篇晶体
  • 7篇介质层
  • 7篇沟道
  • 7篇衬底
  • 5篇电子设备
  • 5篇金属
  • 5篇感器
  • 5篇半导体
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 5篇存储器件
  • 4篇图形化
  • 4篇气体介质
  • 4篇显示器
  • 4篇晶体管器件

机构

  • 38篇中国科学院微...

作者

  • 38篇刘明
  • 38篇陆丛研
  • 29篇李泠
  • 17篇卢年端
  • 8篇姬濯宇
  • 8篇王伟
  • 6篇刘宇
  • 6篇王龙
  • 4篇赵盛杰
  • 4篇胡媛
  • 4篇张凯平
  • 4篇谢常青
  • 3篇李冬梅
  • 3篇徐光伟
  • 2篇商立伟
  • 2篇张培文
  • 2篇韩买兴
  • 2篇王宏
  • 2篇陈映平
  • 2篇刘欣

年份

  • 7篇2025
  • 2篇2024
  • 9篇2023
  • 3篇2021
  • 4篇2020
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2012
共 38 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种聚合物电极的制备方法
本发明公开了一种聚合物电极的制备方法，其中该聚合物电极不能直接制备于介质层或绝缘层的表面，该方法包括：对介质层或绝缘层表面进行图形化；在图形化了的介质层或绝缘层表面生长保护层；在该保护层表面制备聚合物电极。利用本发明所制...
姬濯宇郭经纬刘明王龙陆丛研王伟李泠
文献传递
一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法
本发明涉及一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法，所述加工方法包括如下步骤：在真空环境下在衬底上生长一层敏感金属或金属氧化物材料；在所述敏感金属或金属氧化物材料上生长一层介质层；在所述介质层上生长派瑞林涂层；通过光...
张凯平胡媛刘宇陆丛研赵盛杰张培文谢常青刘明
一种三维存储器件及其制备方法、电子设备
本公开提供了一种三维存储器件及其制备方法、电子设备，器件包括：衬底和多个存储单元；存储单元包括读晶体管和写晶体管；读晶体管具有沿第一水平方向延伸的第一读源漏区、读沟道区和第二读源漏区，写晶体管具有沿L型延伸的第一写源漏区...
李泠王世朋李伟伟耿玓陆丛研卢年端刘明
一种晶体管器件的制造方法
本发明公开了一种晶体管器件的制造方法，该方法包括：提供衬底；在衬底的一侧依次形成第一电极层、第一绝缘层和第二电极层；形成穿透第一电极层和第一绝缘层的过孔，过孔底部延伸至第二电极层；在过孔的侧面依次形成半导体层、栅绝缘层和...
李泠刘明耿玓段新绿陆丛研
一种薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种薄膜晶体管，源电极和漏电极直接形成于栅介质层中，有源层形成于栅介质层表面并且与源电极和漏电极接触，通过这种结构，彻底消除了传统薄膜晶体管器件中的体接触电阻部分，其仅具有界面接触电阻，从而降低了器件的接触电...
韩志恒李泠陆丛研徐光伟王伟刘明
文献传递
一种有机电极的制备方法
本发明公开了一种有机电极的制备方法，其中该有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层的表面，该方法包括：在介质层或绝缘层的表面生长保护层；在该保护层表面制备有机电极。利用本发明所制备的有机电极，结构完整、稳定性好、重复率高。
姬濯宇郭经纬王龙陆丛研王伟李泠刘明
文献传递
一种多介质检测传感器及其制作方法
本发明实施例提供的一种多介质检测传感器及其制作方法，其中多介质检测传感器包括：衬底；栅极，设置于所述衬底上表面；有源层，覆盖在所述衬底的上表面，在所述栅极与所述有源层之间形成腔体结构；其中，所述腔体结构用于容纳气体介质形...
陆丛研卢年端李泠刘宇 王嘉玮 耿玓刘明
一种三维存储器件及其制备方法、电子设备
本发明涉及半导体存储技术领域，尤其是涉及一种三维存储器件及其制备方法、电子设备。三维存储器件的存储单元层包括多个存储单元组；存储单元组包括多个存储单元和公共字线；存储单元的晶体管栅极环绕沟道层设置，位于同一存储单元组的晶...
耿玓王世朋李伟伟李泠陆丛研卢年端刘明
一种有机薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法，该方法包括：在硅片上氧化制备二氧化硅绝缘层；对二氧化硅绝缘层进行OTS修饰；在修饰后的二氧化硅绝缘层表面上沉积生长有机半导体层；在有机半导体层表面上沉积生长一层金属氧化物半导体...
刘明陆丛研姬濯宇商立伟王宏刘欣韩买兴陈映平
文献传递
一种存储器及其制备方法
本发明涉及一种存储器及其制备方法，包括如下步骤：在衬底表面依次交替生长薄膜堆叠结构；沿垂直于膜层的方向向下刻蚀深孔，形成贯通的第一孔道和第二孔道；在第一孔道和第二孔道位置横向刻蚀形成横向孔洞；沉积栅介质层；沉积半导体材料...
耿玓王世朋李伟伟李泠陆丛研卢年端刘明
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