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刘宇昊

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇化学工程

主题

  • 2篇电化学腐蚀
  • 2篇生长温度
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇碳氢化合物
  • 2篇气相
  • 2篇气相沉积
  • 2篇气相沉积法
  • 2篇自支撑
  • 2篇化学腐蚀
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇化学气相沉积...
  • 2篇甲烷
  • 2篇管式
  • 2篇管式炉
  • 2篇非晶
  • 2篇非晶碳
  • 2篇常压
  • 2篇超声

机构

  • 4篇华中科技大学

作者

  • 4篇魏合林
  • 4篇刘宇昊
  • 4篇朱大明

年份

  • 2篇2016
  • 2篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种石墨烯快速剥离的方法
本发明提供了一种石墨烯快速剥离的方法；该方法包括S1利用化学气相沉积法在镍片上生长石墨烯；其中生长温度为750℃～1000℃，生长时间为10～30分钟，生长时通入气体为甲烷10～80sccm和氢气5～10sccm并保持生...
魏合林朱大明刘宇昊
文献传递
一种自支撑类石墨多孔非晶碳薄膜的制备方法
本发明公开了一种自支撑类石墨多孔非晶碳薄膜的制备方法，包括下述步骤：S1：对金属镍片衬底进行超声清洗，并烘干后放置于管式炉中；S2：向所述管式炉中通入惰性气体；S3：对所述管式炉进行升温处理使其达到600℃-720℃，向...
魏合林朱大明刘宇昊
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一种石墨烯快速剥离的方法
本发明提供了一种石墨烯快速剥离的方法；该方法包括S1利用化学气相沉积法在镍片上生长石墨烯；其中生长温度为750℃～1000℃，生长时间为10～30分钟，生长时通入气体为甲烷10～80sccm和氢气5～10sccm并保持生...
魏合林朱大明刘宇昊
一种自支撑类石墨多孔非晶碳薄膜的制备方法
本发明公开了一种自支撑类石墨多孔非晶碳薄膜的制备方法，包括下述步骤：S1：对金属镍片衬底进行超声清洗，并烘干后放置于管式炉中；S2：向所述管式炉中通入惰性气体；S3：对所述管式炉进行升温处理使其达到600℃‑720℃，向...
魏合林朱大明刘宇昊
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