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吕勇

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇电流放大
  • 2篇电流放大系数
  • 2篇电学隔离
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇氧化层
  • 2篇源区
  • 2篇双层多晶硅
  • 2篇平坦化
  • 2篇去除方法
  • 2篇刻蚀
  • 2篇次磷酸
  • 1篇双极型
  • 1篇双极型晶体管
  • 1篇微波性能
  • 1篇晶体管
  • 1篇刻蚀损伤

机构

  • 4篇中国电子科技...

作者

  • 4篇王佃利
  • 4篇吕勇
  • 2篇刘洪军
  • 2篇应贤炜
  • 2篇赵杨杨

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
高性能双层多晶硅双极型晶体管的制造方法
本发明公开了一种高性能的双层多晶硅双极型晶体管的制备方法，包括如下步骤：1）采用LOCOS和CVD淀积SiO<Sub>2</Sub>来形成复合隔离结构，减少高温工艺时间；2）采用SiO<Sub>2</Sub>作为基极多晶...
应贤炜庸安明吕勇王佃利
文献传递
一种射频LDMOS平坦化工艺中氮化硅的去除方法
本发明涉及一种射频LDMOS平坦化工艺中氮化硅的去除方法，其特征在于，对于通过两次湿氧进行平坦化后的掩蔽介质，利用图形边缘腐蚀速率高于中间，边缘鸟嘴处氮化硅厚度大于图形中间位置的特点，采用两次磷酸腐蚀的方法，将氮化硅去除...
吕勇赵杨杨刘洪军王佃利严德圣庸安明梅海
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一种射频LDMOS平坦化工艺中氮化硅的去除方法
本发明涉及一种射频LDMOS平坦化工艺中氮化硅的去除方法，其特征在于，对于通过两次湿氧进行平坦化后的掩蔽介质，利用图形边缘腐蚀速率高于中间，边缘鸟嘴处氮化硅厚度大于图形中间位置的特点，采用两次磷酸腐蚀的方法，将氮化硅去除...
吕勇赵杨杨刘洪军王佃利严德圣庸安明梅海
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双层多晶硅双极型晶体管的制造方法
本发明公开了一种高性能的双层多晶硅双极型晶体管的制备方法，包括如下步骤：1）采用LOCOS和CVD淀积SiO<Sub>2</Sub>来形成复合隔离结构，减少高温工艺时间；2）采用SiO<Sub>2</Sub>作为基极多晶...
应贤炜庸安明吕勇王佃利
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