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郝炳贤

作品数：23 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术艺术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇中文专利

领域

  • 6篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程
  • 1篇艺术

主题

  • 12篇电路
  • 5篇电压
  • 4篇电池
  • 4篇源极
  • 3篇电子设备
  • 3篇信号
  • 3篇集成电路
  • 3篇共模
  • 3篇背栅
  • 2篇带隙基准
  • 2篇带隙基准电路
  • 2篇单体电池
  • 2篇低功耗
  • 2篇低压
  • 2篇电池电量
  • 2篇电池监测
  • 2篇电池组
  • 2篇电流
  • 2篇电流补偿
  • 2篇电路设计

机构

  • 23篇中国科学院微...
  • 11篇广东省大湾区...

作者

  • 23篇郝炳贤
  • 10篇赵野
  • 10篇付佳
  • 6篇杜晓伟
  • 6篇姜伟
  • 2篇王云
  • 1篇张立军
  • 1篇廖安谋

年份

  • 5篇2025
  • 3篇2024
  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 5篇2014
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种电池组单体电池电压检测电路
本发明公开了一种电池组单体电池电压检测电路包括：高压模拟开关阵列，其输入端连接待检测单体电池两端，其输出端连接高共模输入误差放大器；高共模输入误差放大器，用于把高共模的电池信号变成以低电压为参考电压的差分信号进行检测；其...
付佳赵野郝炳贤
一种低压高精度线性校准电路、电流源和用电设备
本发明提供一种低压高精度线性校准电路、电流源和用电设备，电路包括：N个负反馈电路以及结构相同的校准单元和N个基准单元，负反馈电路以及所述基准单元的两个输入端分别连接在第一输出节点和第二输出节点，负反馈电路的两个输入端分别...
郝炳贤王云马玫娟杨娜
一种全差分运算放大电路
本申请提供一种全差分运算放大电路。该全差分运算放大电路包括差分输入对和两个反向放大电路。差分输入对中的第一放大管的栅极、第二放大管的栅极分别对应接收第一输入信号、第二输入信号，第一输入信号和所述第二输入信号为差分信号。第...
郝炳贤王云马玫娟杨娜
一种电池监测芯片的低功耗控制方法及系统
本发明涉及低功耗控制技术领域，公开了一种电池监测芯片的低功耗控制方法及系统。本发明根据电池的使用状态，对电池监测芯片的寄存器进行读写操作，使电池监测芯片在初始上电情况下处于待机工作模式，再对电池监测芯片的寄存器进行读写操...
杜晓伟赵野付佳郝炳贤姜伟
文献传递
一种低压采样装置和模数转换器
本申请公开了一种低压采样装置和模数转换器，涉及模数转换领域，包括：电容模块、充放电控制模块、采样电压保持模块和运放模块。其中充放电控制模块的输入端和电源连接，充放电控制模块的输出端和接地端连接，充放电控制模块的第一控制接...
郝炳贤王云马玫娟杨娜
一种具有电流补偿的带隙基准电路
本发明公开了一种具有电流补偿的带隙基准电路，包括带隙基准核心电路、补偿电流产生电路和启动电路。该基准电路在传统一阶温度补偿带隙基准的基础之上，由补偿电流产生电路产生一个与一阶温度补偿输出电压曲线互补的电流，并通过电阻R<...
姜伟赵野付佳郝炳贤杜晓伟
文献传递
基于SiC-MOSFET的温度检测电路及电子设备
本发明提供了一种基于SiC‑MOSFET的温度检测电路及电子设备，在对待测器件进行温度检测的基础上，通过SiC‑MOSFET温度感应模块将检测电流转换为温度检测电压，进而能够减小温度检测电路对电流的依赖特性而提高检测精度...
郝炳贤王云郑鲲鲲王飞薛静杨娜任广辉严文瑞马玫娟
文献传递
一种隔离驱动电路的接收电路
本申请提供一种隔离驱动电路的接收电路，包括：差分对输入模块，用于接收共模输入电压信号，并抑制共模输入电压信号的噪声；电流产生和镜像电路，用于接收第一使能信号，并在第一使能信号开启时，产生四路电流偏置；共模反馈电路的输入端...
郝炳贤王云郑鲲鲲王飞薛静杨娜任广辉严文瑞马玫娟
文献传递
一种直通型高压数据传输接口电路
本发明公开了一种直通型高压数据传输接口电路，属于高低压兼容模拟集成电路设计领域。该电路包括高压数据读电路和高压数据写电路；其中，高压数据读电路包括第一高压电流偏置产生电路、驱动电路和开关选择电路，第一高压电流产生电路通过...
郝炳贤赵野付佳
文献传递
一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路
本发明涉及ESD技术领域，公开了一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路。其中，ESD保护器件包括：衬底、埋入层、高压N阱区、高压P阱区、低压P阱区及低压NMOS管；埋入层在衬底上；高压P阱区在埋入层上；低压P...
付佳赵野郝炳贤姜伟杜晓伟
文献传递
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