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陈慧卿

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇碲镉汞
  • 4篇探测器
  • 4篇碲镉汞材料
  • 4篇刻蚀
  • 4篇焦平面
  • 4篇红外
  • 4篇红外焦平面
  • 3篇湿法腐蚀
  • 2篇单步
  • 2篇导热
  • 2篇导热率
  • 2篇电导
  • 2篇电导率
  • 2篇电感耦合
  • 2篇电感耦合等离...
  • 2篇电学参数
  • 2篇载流子
  • 2篇射频功率
  • 2篇砷离子
  • 2篇探测器组件

机构

  • 13篇中国电子科技...

作者

  • 13篇陈慧卿
  • 4篇吴卿
  • 4篇胡尚正
  • 4篇宁提
  • 4篇谭振
  • 3篇张敏
  • 3篇史春伟
  • 2篇刘兴新
  • 2篇刘铭
  • 2篇王成刚
  • 2篇田震
  • 2篇周立庆
  • 2篇孙浩
  • 2篇折伟林
  • 2篇李龙
  • 2篇付志凯
  • 1篇梁宗久
  • 1篇孙海燕

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
多载流子体系的测试及拟合方法
本发明公开了一种多载流子体系的测试及拟合方法，包括：将样品置于低温、变磁场中，测量样品的横向电导率σ<Sub>xx</Sub>和纵向电导率σ<Sub>xy</Sub>；对测量的σxx和σxy进行拟合运算，计算样品中各类载...
胡尚正折伟林吴卿陈慧卿刘铭田震杨海燕刘兴新周立庆
文献传递
一种碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法
本发明涉及半导体领域，特别涉及一种碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法。该方法包括：在电感耦合等离子体ICP的工艺腔室中，在设定的第一工艺环境下，采用设定的射频功率，对碲镉汞材料进行刻蚀，得到接触孔；在ICP的工艺腔室中，...
陈慧卿谭振张敏宁提
碲镉汞红外焦平面器件及其制备方法
本发明公开了一种碲镉汞红外焦平面器件及其制备方法，所述方法包括：将砷离子从掺铟碲镉汞外延层的部分待处理表面注入掺铟碲镉汞外延层内；将注有砷离子的掺铟碲镉汞外延层放入充有气态汞的加热管内，并对加热管抽真空、加热；在加热后的...
陈慧卿胡尚正吴卿王成刚孙浩
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一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法
本发明公开了一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法，所述方法包括：步骤1，在碲镉汞薄膜的芯片上，按照刻蚀图形要求进行光刻；步骤2，利用导热冷却液将芯片粘接在样品盘上，并将其置入具备PTSA等离子源的ICP设备的刻蚀腔...
谭振陈慧卿史春伟李龙
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一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法
本发明公开了一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法，所述方法包括：步骤1，在碲镉汞薄膜的芯片上，按照刻蚀图形要求进行光刻；步骤2，利用导热冷却液将芯片粘接在样品盘上，并将其置入具备PTSA等离子源的ICP设备的刻蚀腔...
谭振陈慧卿史春伟李龙
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一种芯片清洗装置
本发明提供了一种芯片清洗装置，包括用于放置待清洗芯片的基座，在基座的上表面上设有若干个矩形槽，每个矩形槽被芯片固定凸起划分为多个芯片槽，芯片固定凸起位于同一矩形槽的任意两个芯片槽中间；在矩形槽的下端还设有贯通槽，贯通槽作...
陈慧卿白雪飞付志凯
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一种半导体晶片的抛光倒角方法
本发明公开了一种半导体晶片的抛光倒角方法，包括：步骤A：将半导体晶片的正面涂覆光刻胶；步骤B：将涂覆光刻胶后的所述半导体晶片粘接到倒角器上；步骤C：将所述粘好半导体晶片的倒角器放到抛光盘上抛光倒角。依照本发明将半导体晶片...
孙海燕陈慧卿史春伟
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一种芯片清洗装置
本发明提供了一种芯片清洗装置，包括用于放置待清洗芯片的基座，在基座的上表面上设有若干个矩形槽，每个矩形槽被芯片固定凸起划分为多个芯片槽，芯片固定凸起位于同一矩形槽的任意两个芯片槽中间；在矩形槽的下端还设有贯通槽，贯通槽作...
陈慧卿白雪飞付志凯
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一种碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法
本发明涉及半导体领域，特别涉及一种碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法。该方法包括：在电感耦合等离子体ICP的工艺腔室中，在设定的第一工艺环境下，采用设定的射频功率，对碲镉汞材料进行刻蚀，得到接触孔；在ICP的工艺腔室中，...
陈慧卿谭振张敏宁提
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多载流子体系的测试及拟合方法
本发明公开了一种多载流子体系的测试及拟合方法，包括：将样品置于低温、变磁场中，测量样品的横向电导率σ<Sub>xx</Sub>和纵向电导率σ<Sub>xy</Sub>；对测量的σxx和σxy进行拟合运算，计算样品中各类载...
胡尚正折伟林吴卿陈慧卿刘铭田震杨海燕刘兴新周立庆
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