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赵学法

作品数:7 被引量:15H指数:2
供职机构:合肥工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:安徽省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学化学工程更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 7篇固相
  • 7篇固相反应
  • 6篇界面固相反应
  • 5篇SIC
  • 2篇碳化硅
  • 2篇显微结构
  • 2篇C/N
  • 1篇动力学
  • 1篇相组成
  • 1篇铝化合物
  • 1篇金属
  • 1篇金属间化合物
  • 1篇化合物
  • 1篇反应动力学
  • 1篇NI3AL
  • 1篇SI
  • 1篇TI
  • 1篇TI3AL
  • 1篇TIAL
  • 1篇

机构

  • 7篇合肥工业大学

作者

  • 7篇赵学法
  • 6篇曹菊芳
  • 6篇汤文明
  • 5篇吴玉程
  • 4篇郑治祥
  • 3篇汤志鸣
  • 3篇高建杰
  • 2篇郑志祥

传媒

  • 1篇合肥工业大学...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇理化检验(物...
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇金属功能材料

年份

  • 6篇2008
  • 1篇2007
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
SiC/Ti_3Al界面固相反应研究被引量:2
2008年
使用扫描电子显微镜(SEM)、电子能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)对经950~1100℃热处理的SiC/Ti3Al平面界面偶界面固相反应层的成分分布、微结构及相组成等进行了分析研究,讨论了SiC/Ti3Al界面固相反应机制,并对热处理过程中反应层成长的动力学过程进行了探讨,获得相应的动力学方程。结果表明,SiC/Ti3Al界面固相反应层主要由TiC、Ti5Si3Cx及Ti2(Al,Si)构成。SiC/Ti3Al界面固相反应的发生归因于TiC和Ti5Si3Cx数值大的负吉布斯自由能变化。SiC/Ti3Al界面固相反应层遵循抛物线生长规律,为扩散控制的反应过程,反应速率常数为:K=1.81×10^-5exp(-259×X10^3/RT),m^2/s。
汤志鸣汤文明曹菊芳赵学法吴玉程郑治祥
关键词:SICTI3AL界面固相反应
SiC/Fe3Al界面的固相反应被引量:2
2008年
用扫描电子显微镜、电子能谱仪和X射线衍射仪对SiC/Fe3Al界面固相反应区的成分分布、微结构及相组成等进行分析研究。结果表明:在1 050℃和1 100℃的热处理温度下经10 h扩散反应后,SiC/Fe3Al界面固相反应区由Fe3Si、石墨态C和Fe-Si-Al三元化合物(FeSiAl5及FeSi3Al9)构成,SiC/Fe3Al界面固相反应区由调整的C沉积物区(M-CPZ)和均匀的C沉积物区(R-CPZ)(从SiC侧至Fe3Al侧)构成,调整的C沉积物区的形成归因于SiC的不连续分解。
曹菊芳汤文明赵学法高建杰吴玉程郑治祥
关键词:界面固相反应显微结构
SiC/Ni-Al界面固相反应的研究
SiC/金属界面固相反应是SiC在高温结构陶瓷、金属基复合材料等领域内应用的一个关键性问题。本研究针对SiC/Ni-Al(NiAl、Ni3Al)平面界面偶,较全面深入地研究了SiC/Ni-Al界面固相反应过程。研究成果有...
赵学法
关键词:固相反应反应动力学
文献传递
SiC/Ni_3Al界面固相反应区的相组成与显微结构
2008年
使用光学显微镜、扫描电子显微镜和能谱仪等对1 000℃×5 h加热处理的SiC/Ni3Al界面固相反应区显微结构、相组成以及反应区中元素分布等进行观察、分析和测试。研究表明,SiC/Ni3Al界面固相反应形成Ni2Si、石墨态碳沉积物和Ni5.4AlSi2。SiC/Ni3Al界面固相反应形成两层结构的反应区,其厚度大约是16μm。其中,靠近SiC侧的反应区由Ni2Si,Ni5.4AlSi2和分布在其中的颗粒状的石墨颗粒构成,而靠近Ni3Al侧的反应区则由Ni2Si和Ni5.4AlSi2构成。
赵学法汤文明曹菊芳高建杰吴玉程郑志祥
关键词:SICNI3AL
SiC/M-Al金属间化合物界面固相反应研究进展被引量:2
2007年
SiC/M(M=Ti,Ni,Fe)-Al金属间化合物界面固相反应的研究是材料科学领域内一个重要的理论研究课题。SiC/M-Al界面固相反应及界面状态决定着SiC/M-Al固相扩散焊接件及SiC/M-Al基复合材料的力学性能和使用性能。文章就近年来SiC/M-Al界面固相反应的研究成果进行综述,包括反应热力学与相平衡分析,反应层的组成与结构以及反应动力学与反应微观机制;并就目前研究的不足以及如何改进提出了一些看法。
汤志鸣汤文明郑治祥曹菊芳赵学法
关键词:碳化硅金属间化合物界面固相反应
SiC/TiAl界面固相反应研究被引量:7
2008年
使用扫描电子显微镜、电子能谱仪、X射线衍射仪对经950~1100℃热处理的SiC/TiAl平面界面偶界面固相反应层的成分分布、微结构及相组成等进行了分析研究,讨论了SiC/TiAl界面固相反应机制,并对热处理过程中反应层成长的动力学过程进行了探讨,获得相应的动力学方程。结果表明,SiC/TiAl界面固相反应层主要由TiC、Ti5Si3Cx及Ti(Al,Si)2构成。其中,TiC和Ti5Si3Cx主要富集于邻近SiC的反应区,而Ti(Al,Si)2富集于邻近TiAl侧的反应区。SiC/TiAl界面固相反应的发生归因于TiC和Ti5Si3Cx数值大的负吉布斯自由能变化。SiC/TiAl界面固相反应层遵循抛物线生长规律,为扩散控制的反应过程,反应速率常数为:K=8.47×10^-3exp(-322×10^3/RT)(m^2/s)。
汤志鸣汤文明曹菊芳赵学法吴玉程郑治祥
关键词:SICTIAL界面固相反应
SiC/Ni_3Al界面固相反应(英文)被引量:1
2008年
使用扫描电子显微镜、电子能谱仪、X射线衍射仪对经1050℃等温热处理10h的SiC/Ni3Al界面固相反应层的成分分布、微结构及相组成等进行了研究。结果表明:SiC/Ni3Al界面固相反应层由Ni5.4Al1Si2、石墨态C及NiAl构成,反应物原子(Si,C,Ni和Al)在反应层中连续分布,均呈现下坡扩散的特征。反应层由随机C沉积区(random carbon precipitation zone,R-CPZ)及无碳沉积区(carbon precipitation free zone,C-PFZ)两个亚层构成。其中,R-CPZ靠近SiC侧,主要由Ni5.4Al1Si2构成,片状和颗粒状的石墨态C随机地分布其中;C-PFZ靠近Ni3Al侧,主要由Ni5.4Al1Si2及NiA构成,不含有石墨态C。
赵学法汤文明曹菊芳高建杰吴玉程郑志祥
关键词:碳化硅界面固相反应
共1页<1>
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