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谷志刚

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：南京航空航天大学更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电致发光
  • 2篇电致发光器件
  • 2篇介电
  • 2篇介电常数
  • 2篇发光
  • 2篇发光器件
  • 2篇高介电常数
  • 1篇退火
  • 1篇退火处理
  • 1篇微结构
  • 1篇溅射
  • 1篇薄膜微结构
  • 1篇MOSFET
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 4篇南京航空航天...

作者

  • 4篇谷志刚
  • 3篇王东生
  • 2篇张万权

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
退火处理对LaAlO/_3薄膜微结构及性能的影响
随着科学的进步和微电子技术的飞速发展,硅基集成电路的集成度越来越高。而集成度的提高是以其核心器件金属-氧化物-半导体场效应管/(MOSFET/)特征尺寸的逐渐减小为基础的。但是受量子隧穿效应的影响,MOSFET栅极SiO...
谷志刚
关键词：高介电常数磁控溅射
文献传递
无机薄膜电致发光器件中绝缘层材料的研究
2007年
薄膜电致发光（TFEL）技术将戍为平板显示技术的潮流和主体。简要介绍了平板显示技术的发展，同时对无机薄膜电致发光器件中绝缘层材料的选择进行了探讨。
王东生谷志刚张万权
关键词：电致发光
新一代MOSFET栅极电介质材料的研究进展
随着半导体技术的飞速发展,传统的SiO2 无法克服由MOSFET、器件特征尺寸的不断缩小所带来的量子隧穿效应的影响,从而极大地制约了微电子器件集成度的提高。因此寻找新一代MOSFET栅极电介质材料来取代SiO2已经成为人...
谷志刚王东生
关键词：高介电常数
文献传递
无机薄膜电致发光器件中绝缘层材料的研究
薄膜电致发光(TFEL)技术将成为平板显示技术的潮流和主体。简要介绍了平板显示技术的发展, 同时对无机薄膜电致发光器件中绝缘层材料的选择进行了探讨。
王东生谷志刚张万权
关键词：电致发光
文献传递
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