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肖辉

作品数：4 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇核科学技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇荧光
  • 3篇荧光分析
  • 3篇X射线荧光
  • 3篇X射线荧光分...
  • 2篇掠射
  • 1篇对苯二甲酸
  • 1篇乙二酯
  • 1篇全反射
  • 1篇径迹
  • 1篇聚对苯
  • 1篇聚对苯二甲酸
  • 1篇聚对苯二甲酸...
  • 1篇刻蚀
  • 1篇固体核径迹
  • 1篇硅半导体
  • 1篇核径迹
  • 1篇痕量
  • 1篇痕量分析
  • 1篇氨水
  • 1篇半导体

机构

  • 4篇中国科学院
  • 1篇中国原子能科...

作者

  • 4篇肖辉
  • 3篇刘亚雯
  • 1篇魏成连
  • 1篇李涛
  • 1篇彭良强
  • 1篇王世成
  • 1篇张宝亭
  • 1篇范钦敏
  • 1篇吴应荣

传媒

  • 2篇光谱学与光谱...
  • 1篇自然科学进展...
  • 1篇第七届光谱分...

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
氨导致的聚对苯二甲酸乙二酯中的径迹增敏
1999年
研究氨水前处理对聚对苯二甲酸乙二酯中潜径迹的影响,实验表明氨水处理显著增大径迹灵敏度,饱和增敏值与氨水温度和浓度无关。分析氨水增敏的原因,认为增敏随离子能损增大而增大。此外实验还表明氨水处理可避免有机溶剂处理带来的不便。
彭良强王世成肖辉李涛张宝亭
关键词：氨水固体核径迹刻蚀
硅中掺杂元素砷的三维微分析被引量：3
1997年
用同步辐射Ｘ光微区分析和全反射Ｘ射线荧光分析技术测定了硅中掺杂元素砷浓度的三维分布。其中深度剖面分布的测定结果与二次离子质谱进行了对照，两者的一致性是比较满意的。
刘亚雯范钦敏吴应荣魏成连肖辉
关键词：X射线荧光分析硅半导体
掠射技术与X射线荧光分析被引量：5
1998年
掠射技术引入Ｘ射线荧光分析成为一种新的材料及薄膜分析技术。运用此技术可以给出材料表面及薄膜的密度、厚度、界面粗糙度、成分的深度和剖面分布等各种信息。
刘亚雯肖辉
关键词：掠射X射线荧光分析XRFIAD
掠射技术与X射线荧光分析
刘亚雯肖辉
关键词：全反射X射线荧光分析痕量分析
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