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程勇鹏

作品数：5 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电光
  • 2篇电光调制
  • 2篇电光调制器
  • 2篇电极
  • 2篇电极结构
  • 2篇电学
  • 2篇调制
  • 2篇调制器
  • 2篇耦合器
  • 2篇刻蚀
  • 2篇脊型光波导
  • 2篇光波
  • 2篇光调制
  • 2篇光调制器
  • 2篇MZI
  • 2篇波导
  • 2篇掺杂
  • 1篇亚微米
  • 1篇自然过渡
  • 1篇微米

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇陈少武
  • 5篇程勇鹏
  • 2篇任光辉
  • 1篇樊中朝

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
Si基芯片光互连研究进展被引量：3
2009年
综述了近年来Si基光互连,尤其是和微电子工艺兼容程度较高的芯片间和芯片内的光互连的进展。Luxtera公司已经率先实现了除光源外的所有光子器件的单片集成,IBM也提出并开始实施微电子学领域的片内光互连的技术方案,但Si基光互连大部分还停留在各构建单元器件性能提高的阶段,例如Si基发光、Si波导、Si波导耦合器、Si基调制器及光开关、Si基探测器以及用于光波导器件阵列的WDM技术。此外,还对Si基光源、光纤耦合、偏振敏感性以及光子器件的热稳定性提出了看法。总之,随着各种构建单元器件的综合性能、CMOS工艺兼容度、制备成品率的提高以及光电融合单片集成工艺的突破,光互连最终会成为现实,并引发微电子技术和IC行业的下一场革命。
程勇鹏陈少武
关键词：光子集成
脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法
一种脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上旋涂一层光刻胶，利用光刻技术形成第一掩膜图形，该第一掩膜图形表面的一侧为矩形另一侧为锥形；步骤2：利用刻蚀技术将掩膜图形长方向两侧的衬底刻蚀掉，刻蚀...
陈少武程勇鹏任光辉
文献传递
提高MZI电光调制器速度和效率的电极结构
一种提高MZI电光调制器速度和效率的电极结构，包括：一MZI调制器结构，包括第一调制臂和第二调制臂，该第一和第二调制臂为脊形光波导结构，该第一和第二调制臂分为第一平板区和第二平板区及第一内脊区和第二内脊区，在第一和第二内...
程勇鹏陈少武
文献传递
SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法
一种SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法，包括：在SOI的顶层硅上氧化一层二氧化硅层；通过光刻工艺，在二氧化硅层上面形成掩膜图形，该掩膜图形的一端为矩形，另一端为锥形通过刻蚀工艺，将没有掩膜图形保护的二氧化...
陈少武程勇鹏任光辉樊中朝
文献传递
提高MZI电光调制器速度和效率的电极结构
一种提高MZI电光调制器速度和效率的电极结构，包括：一MZI调制器结构，包括第一调制臂和第二调制臂，该第一和第二调制臂为脊形光波导结构，该第一和第二调制臂分为第一平板区和第二平板区及第一内脊区和第二内脊区’，在第一和第二...
程勇鹏陈少武
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