黎明
- 作品数：42 被引量：8H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国人民解放军总装备部预研基金中国科学院微电子研究所所长基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 实现ZnO纳米线到场效应管衬底沉积和定位的方法
- 本发明公开了一种实现ZnO纳米线到场效应管衬底沉积和定位的方法，该方法包括：在场效应管衬底上采用正性光刻胶和阴版光刻，显影形成按照一定规律排列的光刻胶凹槽；采用超声乙醇水解法将ZnO纳米线从原生长衬底上剥离；采用滴管将Z...
- 黎明张海英付晓君徐静波
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- 实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法
- 本发明涉及化合物半导体MMIC技术领域，公开一种采用GaAs增强/耗尽型PHEMT技术实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法，利用1.0μm GaAs E/D PHEMT工艺，制备出性能良好的DC～10GHz S...
- 黎明张海英徐静波付晓君
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- GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关及其制作方法
- 本发明公开一种GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关及其制作方法。该单片集成微波开关由基于全耗尽型的GaAs PHEMT单刀双掷开关和基于DCFL的反相器构成，该单刀双掷开关和反相器单片集成，单刀双掷开关的控制信号...
- 黎明张海英付晓君徐静波
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- 一种ZnO背栅纳米线场效应管的制备方法
- 本发明涉及化合物半导体器件技术领域，具体涉及一种背栅ZnO纳米线场效应管的制备方法。本发明采用ZnO纳米线作为场效应晶体管沟道，采用凹槽和十字两种方法实现纳米线到器件衬底的沉积和定位，采用Ti/Au与ZnO沟道形成欧姆接...
- 付晓君张海英徐静波黎明
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- 单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法
- 本发明公开了一种单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法，该方法包括：对GaAs基E/D MHEMT外延片进行有源区隔离和腐蚀；对进行有源区隔离和腐蚀后的外延片进行漏源制备；采用分步栅工艺，挖栅槽，蒸发Ti/Pt/...
- 黎明张海英徐静波付晓君
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- 单片集成0·8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管被引量：1
- 2007年
- 优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/In-GaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示:增强型(耗尽型)PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V),330mS/mm(260mS/mm),245mA/mm(255mA/mm),14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz).利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V.
- 徐静波张海英尹军舰刘亮李潇叶甜春黎明
- 关键词：单片集成增强型耗尽型赝配高电子迁移率晶体管阈值电压
- 实现ZnO纳米线到场效应管衬底沉积和定位的方法
- 本发明公开了一种实现ZnO纳米线到场效应管衬底沉积和定位的方法，该方法包括：在场效应管衬底上采用正性光刻胶和阴版光刻，显影形成按照一定规律排列的光刻胶凹槽；采用超声乙醇水解法将ZnO纳米线从原生长衬底上剥离；采用滴管将Z...
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- 实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法
- 本发明涉及化合物半导体MMIC技术领域，公开一种采用GaAs增强/耗尽型PHEMT技术实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法，利用1.0μm GaAs E/D PHEMT工艺，制备出性能良好的DC～10GHz S...
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- GaAs基E/D PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路被引量：6
- 2008年
- 利用GaAs基E/DPHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路的制作工艺和设计方法,采用0.8μm GaAs E/D PHEMT工艺,制备出性能良好的解码器功能内置的DC^10GHz SPDT MMIC,基本实现逻辑电路与开关电路的集成.开关电路在DC^10GHz内插入损耗小于1.6dB,隔离度大于24dB;整个电路只需要1位控制信号,有效地减少了开关电路的控制端口数目,节省了芯片面积,为GaAs多功能电路的研究奠定了基础.
- 黎明张海英徐静波付晓君
- 关键词：逻辑控制电路
- 一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法
- 本发明公开了一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法，该方法包括：在P++型硅衬底上生长一层二氧化硅介质，形成场效应晶体管衬底；在该场效应晶体管衬底上涂一层光刻胶，光刻曝光；蒸发源漏金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体...
- 付晓君张海英徐静波黎明
