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孙青

作品数：33 被引量：68H指数：5
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 25篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 7篇晶体管
  • 6篇双极晶体管
  • 5篇淀积
  • 4篇漂移
  • 4篇气相淀积
  • 4篇可靠性
  • 4篇VLSI
  • 3篇电子器件
  • 3篇噪声
  • 3篇化学气相淀积
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体器件
  • 3篇PVD
  • 3篇SIO
  • 3篇H
  • 2篇等离子体
  • 2篇电迁移
  • 2篇电子回旋共振
  • 2篇应力
  • 2篇真空系统

机构

  • 31篇西安电子科技...
  • 4篇中国科学院
  • 1篇中华人民共和...

作者

  • 33篇孙青
  • 15篇庄奕琪
  • 9篇景俊海
  • 8篇杨银堂
  • 4篇付俊兴
  • 3篇侯洵
  • 3篇周端
  • 2篇刘毅
  • 2篇俞书乐
  • 2篇陈光族
  • 2篇恩云飞
  • 2篇杨绪华
  • 2篇汪家友
  • 1篇孔学东
  • 1篇贾新章
  • 1篇傅俊兴
  • 1篇孙建成
  • 1篇侯询
  • 1篇焦慧芳

传媒

  • 4篇电子学报
  • 4篇固体电子学研...
  • 4篇微电子学
  • 2篇半导体技术
  • 2篇Journa...
  • 2篇材料科学进展
  • 1篇电子科技
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇计量学报
  • 1篇物理
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇应用科学学报
  • 1篇微电子技术
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇国外激光
  • 1篇电子科学学刊
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 2篇2000
  • 1篇1997
  • 9篇1996
  • 2篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 4篇1991
  • 4篇1990
  • 6篇1989
  • 1篇1987
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
反应室结构与工艺参数对PVD SiO_2薄膜均匀性的影响
1989年
本文根据气流模型研究了反应室结构与光激发汽相淀积(PVD)SiO_2薄膜均匀性的关系,并且讨论了工艺参数对PVD SiO_2薄膜均匀性的影响。
景俊海孙青孙建诚付俊兴
关键词：PVDSIO2薄膜均匀性
紫外汞灯PVD二氧化硅薄膜特性研究被引量：2
1990年
本文论述了紫外汞灯Hg敏化PVD SiO_2薄膜的原理及方法,讨论了PVD SiO_2薄膜的光学特性、结构特性、电学特性、附着力及应力,并分析了薄膜的成份。
景俊海孙青孙建诚付俊兴
关键词：PVD二氧化硅薄膜汞气灯
微组装技术的发展现状与未来展望被引量：3
1995年
微组装技术是继表面安装技术之后的第五代电子组装技术。本文综述了微组装技术当前的发展概况，对该技术未来十年的发展方向和趋势作了预测，并着重介绍了其代表性产品多芯片组件以及关键技术。
庄奕琪孙青
关键词：微组装多芯片组件多层基板
微波ECR等离子体中的电子能量吸收的计算被引量：2
1996年
本文研究了ＥＣＲ系统中微波能量的耦合过程，给出了电子能量吸收的数值计算，发现ＥＣＲ共振腔内静磁场的分布、工作气压和微波功率是决定产生高能电子的主要因素，从而决定了ＥＣＲＣＶＤ薄膜淀积工艺的有关参数。进行了ＥＣＲＣＶＤＳｉＮ薄膜的工艺实验，其结果与理论计算符合得较好。
杨银堂恩云飞孙青
关键词：等离子体电子回旋共振
电子器件可靠性的噪声表征方法被引量：18
1996年
随着电子器件朝着高性能、小尺寸和长寿命方向发展，传统的寿命试验可靠性评价方法的局限性日益显著。近年来得到的大量研究结果表明，对于大多数电子器件，噪声是导致器件失效的各种潜在缺陷的敏感反映，噪声检测方法以其灵敏、普适、快速和非破坏性的突出优点，正在发展成为一种新型的电子器件可靠性表征工具。本文对该领域目前的研究进展做了概括性的评述。
庄奕琪孙青
关键词：电子器件噪声可靠性
器件结构中材料应力的控制和优化方法
1996年
在对器件结构中材料应力进行分析和测量的基础上，提出了控制和优化器件结构中材料应力的几种方法，包括合理选择工艺条件、采用多层复合膜技术、确定双层结构的最佳厚度值以及选择适当的材料种类等。实际应用结果表明，这些方法是有效的和可行的。
杨银堂傅俊兴孙青
关键词：半导体器件
用1／f噪声表征MOSFET的负温偏不稳定性被引量：3
1996年
负温偏不稳定性是ＭＯＳ器件最重要的可靠性问题之一。本文从实验上发现ＭＯＳ－ＦＥＴ的１／ｆ噪声与其负温偏不稳定性相关，初始１／ｆ噪声谱密度正比于负温偏应力下的跨导退化量。理论分析表明，导致负温偏不稳定性的与产生１／ｆ噪声的均为Ｓｉ－ＳｉＯ２界面过渡层内的电荷与陷阱。据此，１／ｆ噪声测量可作为快速评价与分析ＭＯＳ器件负温偏不稳定性的一种有效手段。
庄奕琪孙青侯洵
关键词：MOSFET场效应器件
用1/f噪声预测双极晶体管的h[*vFE*]漂移
庄奕琪孙青
关键词：双极晶体管漂移噪声测量电流增益
用１／ｆ噪声表征ＭＯＳＦＥＴ的负温偏不稳定性
庄奕琪孙青
关键词：稳定性半导体器件场效应晶体管
电子器件低频噪声谱成分的全参数优化分析被引量：8
1996年
本文提出的梯度寻优-线性展开算法,可从电子器件低频噪声频谱中提取得到1/f噪声、g-r噪声和白噪声的全部6个谱成分参数值。将该方法成功地用于半导体器件低频噪声谱成分分析,表明其具有广泛的收敛性和较高的拟合精度。
庄奕琪孙青侯询
关键词：低频噪声电子器件
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