王彦华
- 作品数：3 被引量：10H指数：1
- 供职机构：沈阳理工大学理学院更多>>
- 发文基金：沈阳科学技术计划项目辽宁省自然科学基金辽宁省教育厅高等学校科学研究项目更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 一维液晶光子晶体器件的研究
- 一维液晶光子晶体具有引入缺陷工艺简单、易集成、驱动电压低、成本低、易多元化和良好的调谐性能，将在未来以光子为载体的全光网络中发挥重要的作用，已经成为光子晶体研究的热点。本文针对一维液晶光子晶体器件进行了研究，主要内容包括...
- 王彦华
- 关键词：一维光子晶体光子禁带透射谱向列相液晶胆甾相液晶
- SiO_2/TiO_2多层膜结构一维光子晶体光子禁带研究被引量：10
- 2011年
- 制作了SiO2/TiO2多层膜结构一维光子晶体,研究了其光子禁带特性。通过测量红外透射谱,分析了入射线偏振方向、入射角度以及引入缺陷层对光子禁带的影响。随着入射角度的增大,在TE模式和TM模式线偏振光下,光子禁带边沿产生蓝移现象。引入TEB30A型向列相液晶缺陷后,光子禁带中在波长约为1810nm(TE模式)和1821nm(TM模式)处出现了透射峰。利用传输矩阵理论,模拟计算了光子晶体透射谱,并对实验结果进行了深入分析。无缺陷时,随着入射角增大,薄膜的光学厚度减小,光子禁带边沿蓝移。引入液晶缺陷后,光子禁带中产生特定的缺陷态,和缺陷态频率相吻合的光子被局域在缺陷位置,禁带中出现透射峰。由于两种模式线偏振光下的液晶层光学厚度不同,透射峰位置也不同。
- 乌日娜闫彬王彦华徐送宁闫秀生岱钦
- 关键词：光子晶体透射谱光子禁带
- 一维光子晶体光子禁带研究
- 2010年
- 设计SiO2/TiO2一维光子晶体,利用琼斯矩阵理论,模拟分析其禁带特性。结果表明:光子禁带随光子晶体介质厚度比的增大而加宽,且往长波方向移动;光子禁带不受光子晶体周期数的影响。根据理论模拟得出的最佳参数制作了应用于光通讯波段的一维光子晶体带阻滤波器,并测量了该光子晶体的光子禁带,实验结果与理论模拟一致.
- 王彦华徐送宁闫彬
- 关键词：光子晶体光子禁带
