杨跃
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京邮电大学电子工程学院光通信与光波技术教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家高技术研究发展计划高等学校学科创新引智计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 闪锌矿BxAl1-xAs合金的LP-MOCVD生长研究
- 本文利用LP-MOCVD生长工艺并采用三乙基硼源(TEB)在GaAs(001)衬底上生长BxAl1-xAs外延层，实验中生成了B并入比为0.4％-4.4％的一系列BxAl1-xAs样品。结果表明最优生长温度为580℃，当...
- 李佳健王琦张霞杨跃任晓敏黄永清
- 关键词：晶体生长X射线衍射
- BxAl1-xAs和BxAlyIn1-x-yAs合金的LP—MOCVD生长研究
- 采用三乙基硼(TEB)源,利用LP-MOCVD生长工艺在GaAs(001)衬底上生长一系列的BxAl1-xAs和BxAlyIn1-x-yAs合金.为了得到与衬底晶格匹配的BxAlyIn1-x-yAs合金,首先在实验中生长...
- 杨跃王琦任晓敏黄永清
- 关键词：晶体生长
- 闪锌矿BzAl1-zAs合金的LP-MOCVD生长研究
- 利用LP-MOCVD生长工艺并采用三乙基硼源(TEB)在GaAs(001)衬底上生长BxAl1-xAs外延层，实验中生成了B并入比为0.4％-4.4％的一系列BxAl1-xAs样品。结果表明最优生长温度为580℃，当生长...
- 李佳健王琦张霞杨跃任晓敏黄永清
- 文献传递网络资源链接
- 闪锌矿B_xAl_(1-x)As合金的LP-MOCVD生长研究
- 2010年
- 利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)生长工艺,采用三乙基硼(TEB)源,在GaAs(001)衬底上生长了B并入比为0.4%～4.4%的一系列BxAl1-xAs合金。实验结果表明,BxAl1-xAs的最优生长温度为580℃;当生长温度为550℃和610℃时,BxAl1-xAs中B并入比都会下降,550℃时B并入比下降更为显著。在580℃最优生长温度下,B并入比随着TEB摩尔流量增加而提高,且B并入比从临界值2.1%增加至最大值4.4%时,DCXRDω-2θ扫描BxAl1-xAs衍射峰的半高宽值从51.8 arcsec升高到204.7 arcsec,原子力显微镜(AFM)测试表面粗糙度从2.469 nm增大到29.086 nm,说明B并入比超过临界值后BxAl1-xAs晶体质量已经逐渐严重恶化。
- 李佳健王琦张霞杨跃任晓敏黄永清
