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李俊

作品数：83 被引量：20H指数：3
供职机构：上海大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学冶金工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 58篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 8篇学位论文
  • 7篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 22篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 2篇冶金工程
  • 2篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇政治法律
  • 1篇文化科学
  • 1篇语言文字

主题

  • 33篇晶体管
  • 17篇电极
  • 14篇突触
  • 10篇薄膜晶体
  • 10篇薄膜晶体管
  • 8篇电路
  • 8篇晶体
  • 8篇晶体管器件
  • 8篇发光
  • 7篇电致发光
  • 7篇电致发光器件
  • 7篇氧化物薄膜
  • 7篇金属
  • 7篇晶体管技术
  • 7篇绝缘
  • 7篇绝缘层
  • 7篇发光器件
  • 6篇栅极
  • 6篇沟道
  • 6篇沟道电流

机构

  • 83篇上海大学

作者

  • 83篇李俊
  • 44篇张建华
  • 43篇张志林
  • 27篇蒋雪茵
  • 12篇张良
  • 11篇林华平
  • 11篇周帆
  • 10篇郭爱英
  • 9篇张小文
  • 5篇俞东斌
  • 5篇张浩
  • 4篇王兴庆
  • 4篇朱文清
  • 3篇盛娅峥
  • 2篇张丽娟
  • 2篇曹进
  • 2篇陈琦
  • 2篇刘立宁
  • 2篇张晓薇
  • 2篇杨耀华

传媒

  • 4篇发光学报
  • 2篇2010中国...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇上海有色金属
  • 1篇粉末冶金材料...
  • 1篇金属材料与冶...

年份

  • 2篇2025
  • 8篇2024
  • 1篇2023
  • 4篇2022
  • 8篇2021
  • 7篇2020
  • 9篇2019
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 5篇2012
  • 15篇2011
  • 2篇2010
  • 7篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 83 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氧化物薄膜的场效应晶体管器件及其制备方法
本发明公开了一种具有成分缓变有源层结构的氧化物薄膜的场效应晶体管器件及其制备方法，属于薄膜晶体管器件技术领域。缓变结构氧化物有源层所采用结构为：ZnSnO/ZnSnO:X%HfO2/ZnSnO:Y%HfO2其中（X&lt...
李俊张建华蒋雪茵张志林
文献传递
一种突触晶体管及其制备方法
本发明提供了一种突触晶体管及其制备方法，属于突触晶体管技术领域。本发明提供了一种突触晶体管，包括自下而上依次设置的有源层、绝缘层、栅极、易失电子层、感应电极1、易得电子层、感应电极2和基板；所述有源层为长方体；所述绝缘层...
李俊伏文辉张志林张建华
MmpL3抑制剂、组合物及其用途
本发明披露了分枝杆菌膜蛋白MmpL3的抑制剂、包含这些抑制剂的组合物及其制备方法和用途。
饶子和李俊张兵杨海涛
文献传递
一种表面肌电信号采集系统
本发明公开了一种表面肌电信号采集系统，包括：采集单元，与皮肤表面接触，用于采集多路表面电信号和一路基准电信号；处理单元，与采集单元连接，用于将采集的多路所述表面电信号和一路基准电信号合并为多路表面肌电信号，进行并串转换；...
张建华李泽文周厚达郭爱英李俊
文献传递
公法、私法定位之思考——从法治的视野考察
在法治社会中，究竟私法、公法在法律体系中居于什么样的位置?是私法优位?还是公法优位?对于建立良法治理的法治社会而言，这是必须彻底廓清的问题。而私法优位论与公法优位论聚讼纷纭，莫衷一是。 实际上，私法优位论与公法...
李俊
关键词：法治公法私法法治社会法律体系权力制约机制
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一种多通道高密度电极阵列
本发明公开一种多通道高密度电极阵列，涉及肌电信号采集技术领域。所述多通道高密度电极阵列包括：n个金属电极阵列、n个模拟开关芯片、n个放大电路、一个接口电路和一个主控芯片；每个金属电极阵列均包括m个金属电极通道，每个金属电...
李俊郭潇林郭爱英张建华
基于PECVD SiNx绝缘层和廉价的Cu为电极的并五苯薄膜晶体管性能研究
本文成功地制备了基于PECVD SiNx绝缘层和廉价的Cu为漏、源电极的并五苯薄膜晶体管，通过转折特性曲线得出器件的饱和迁移率为饱和迁移率为0.29 cm2/Vs，阈值电压为-8.4V，开关比为5.3×106。用原子力显...
李俊蒋雪茵张小文张良张浩林华平张志林
关键词：薄膜晶体管绝缘层表面形貌
文献传递
真空蒸发系统
本发明涉及一种真空蒸发系统，包括真空腔室、蒸发源、电磁感应圈以及托架；托架设置在真空腔室的底部，电磁感应圈设置在托架上方，与托架相对，蒸发源为多个，真空蒸发系统还包括移动支架，多个蒸发源排列放置在移动支架上，移动支架将蒸...
张志林张建华蒋雪茵刘立宁李俊
文献传递
植物－微生物联合定向修复重金属污染土壤的方法
本发明涉及一种植物－微生物联合定向法修复重金属污染土壤的方法。该方法的具体步骤为：首先通过植物与微生物抗性细菌的筛选，得到具有重金属耐性的植物物种与微生物抗性细菌菌种，然后将该耐性植物的种子在微生物抗性细菌菌液中浸泡、包...
何池全李俊孟昭寿杜玮陈玉丽谭贵娥白胜雷艳茹
文献传递
用反应溅射法沉积SiO_x绝缘层的InGaZnO-TFT的光照稳定性(英文)
2012年
制备了基于反应溅射SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT,并系统地研究了InGaZnO-TFT在白光照射下的稳定性,主要涉及到光照、负偏压、正偏压、光照负偏压和光照正偏压5种情况。结果表明,器件在光照和负偏压光照下的阈值偏移较大,而在正偏压光照情况下的阈值偏移几乎可以忽略。采用C-V方法证明阈值电压漂移是源于绝缘层/有源层附近及界面处的缺陷。另外,采用指数模式计算了缺陷态的弛豫时间。本研究的目的就是揭示InGaZnO-TFT在白光照射和偏压下的不稳定的原因。
李俊周帆张建华蒋雪茵张志林
关键词：薄膜晶体管
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