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朱永红

作品数:6 被引量:34H指数:4
供职机构:中国工程物理研究院激光聚变研究中心更多>>
发文基金:中国工程物理研究院科技基金中国工程物理研究院基金更多>>
相关领域:理学核科学技术电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇核科学技术
  • 2篇理学

主题

  • 3篇等离子体
  • 2篇等离子体诊断
  • 2篇氢等离子体
  • 2篇微齿轮
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇螺旋波
  • 2篇螺旋波等离子...
  • 2篇刻蚀
  • 2篇光谱
  • 2篇光学
  • 2篇光学发射谱
  • 2篇发射光谱
  • 2篇发射谱
  • 2篇齿轮
  • 1篇等离子体参数
  • 1篇低温低压
  • 1篇低压
  • 1篇电子回旋共振
  • 1篇电子温度
  • 1篇密度研究

机构

  • 6篇中国工程物理...
  • 5篇四川大学
  • 1篇包头医学院

作者

  • 6篇唐永建
  • 6篇吴卫东
  • 6篇朱永红
  • 5篇孙卫国
  • 3篇陆晓曼
  • 2篇张继成
  • 2篇郭强
  • 2篇罗利霞

传媒

  • 3篇强激光与粒子...
  • 3篇真空科学与技...

年份

  • 5篇2008
  • 1篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
螺旋波激发氢等离子体的电子温度及密度研究被引量:8
2008年
采用射频调谐朗缪尔单探针方法对螺旋波激发的氢等离子体I-V特性曲线进行了测量。运用Druyvestey方法对氢等离子体的电子能量分布(EEDF)及电子密度ne的变化规律进行了研究,并与发射光谱诊断结果进行了比较。结果表明:ne随着射频功率的增大成线性增大,本实验中最大值可达到1012cm-3量级,电子平均能量E随着射频功率的增大逐渐升高,并逐渐达到饱和;ne随着工作气压的增加而增大并出现峰值,存在一个最佳气压范围(2 Pa^4 Pa)使ne达到最大,E则随着工作气压的增加逐渐减小;氢气流量对ne的影响非常小,当氢气流量达到一定值(12 sccm)后,ne几乎不变化,E随着氢气流量的增加逐渐降低,最后趋于稳定;朗缪尔单探针方法与发射光谱法诊断的结果基本一致。
朱永红吴卫东唐永建孙卫国
关键词:等离子体诊断等离子体参数螺旋波等离子体
采用发射光谱和朗缪尔探针诊断低温低压氢等离子体被引量:5
2008年
使用发射光谱诊断法和Langmuir探针诊断法,测量了螺旋波激发等离子体化学气相沉积装置中产生的氢等离子体的发射光谱和电流-电压曲线。运用日冕模型和Druyvestey方法,对不同放电参数条件下激发态氢原子密度?等离子体密度及电子能量分布的变化规律进行了研究。结果表明:激发态氢原子密度随射频功率增大而增大,随工作气压的增大先增大,后缓慢下降。等离子体密度随射频功率增大线性增大,随工作气压的增加也是先增大,出现峰值后缓慢下降。电子平均能量随射频功率的变化是先增大,后达到平衡;随着工作气压的增大逐渐减小。两种诊断方法得到的结果基本相符。在低温低压等离子诊断中,两种诊断方法结合使用,可以得到更准确和更多的等离子体信息。
朱永红吴卫东陆晓曼唐永建孙卫国
关键词:等离子体诊断发射光谱LANGMUIR探针
类金刚石薄膜的反应离子刻蚀被引量:1
2008年
为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小、独立的类金刚石薄膜微器件,反应离子刻蚀是一种有效地刻蚀方法。研究了氧气与氩气的混合气体进行类金刚石薄膜刻蚀的主要工艺参数(刻蚀时间、有无掩膜、氩氧体积混合比、负偏压)。研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;有无掩膜对刻蚀速率无明显影响;流量一定时,刻蚀速率随氩氧体积比的增大而降低,随负偏压的增大先增大后减小。实验得到最佳刻蚀条件,在此条件下,刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的微器件,并成功制备出"独立"的微齿轮,进行了组装。
吴卫东陆晓曼张继成朱永红郭强唐永建孙卫国
关键词:反应离子刻蚀类金刚石薄膜微齿轮
CH4/H2和CH4/He体系等离子体发射光谱分析被引量:7
2008年
在CH4/H2和CH4/He两种系统中,利用光学发射谱技术对螺旋波放电产生低压甲烷等离子体内活性粒子的光学发射特征进行了原位诊断。在实验中,两种体系下同时都测得的主要荷电粒子为CH,Hα,Hβ,Hγ以及H2等。研究了各实验参数对这些活性粒子CH,Hα,Hβ以及Hγ的发射光谱强度的影响。结果表明:在CH4/H2体系下,随着射频功率的增大,Hα,Hβ,Hγ以及CH基团的相对强度都随着增加,而当放电气压变化时它们都呈现先增大而后减小的趋势。在CH4/He体系下,随射频功率的增加,Hα,Hβ,Hγ以及CH相对强度变化的总体趋势也都是先增加而后减小,当工作气压增加时,Hα,Hβ以及Hγ的相对强度变化也是呈现先增大而后减小,但CH基团的相对强度却是逐渐减小的;这些结果为等离子体沉积各种薄膜过程的理解及制备工艺参数的调整提供了参考。
罗利霞吴卫东朱永红唐永建
关键词:光学发射谱螺旋波等离子体甲烷
电子回旋共振微波等离子体刻蚀α:CH薄膜的工艺被引量:3
2008年
为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的α:CH薄膜微器件,研究了有铝和无铝掩膜、气体流量比、工作气压对刻蚀速率的影响,并对纯氧等离子体刻蚀稳定性进行了研究。研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;α:CH薄膜上有铝和无铝掩膜时,刻蚀速率相同;流量一定时,刻蚀速率随氩气和氧气体积比的增大而降低,当用纯氩气时,几乎没刻蚀作用;刻蚀速率随工作气压的增大而降低。实验中,得到最佳刻蚀条件是:纯氧气,流量4 mL.s-1,工作气压9.9×10-2Pa,微波源电流80 mA,偏压-90 V。
陆晓曼张继成吴卫东朱永红郭强唐永建孙卫国
关键词:离子刻蚀微齿轮
低压甲烷等离子体发射光谱诊断被引量:15
2007年
在CH4/He体系下,利用光学发射谱技术,对螺旋波放电产生低压甲烷等离子体内活性粒子的光学发射特征进行了原位测量。根据甲烷离解后产生的所有可能基、团的对称性、构造并分析了甲烷离解的所有可能反应通道,进一步证实了CH、Hα、Hβ以及Hγ等碎片粒子的存在。研究了各实验参量对活性基团CH、Hα、Hβ以及Hγ的发射谱强度的影响。结果表明:CH粒子发射光谱谱线相对强度随着射频功率的增大是先增大而后减小,随工作气压的增大而逐渐减小;随气压及功率的增加,Hα、Hβ以及Hγ相对强度变化的总体趋势都是先增加而后减小的。该结果为等离子体沉积各种薄膜过程的理解及制备工艺参数的调整提供了基础数据。
罗利霞吴卫东孙卫国唐永建朱永红
关键词:光学发射谱
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