张峰
- 作品数：164 被引量：498H指数：14
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：机械工程理学电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 多孔径干涉成像方法
- 本发明涉及一种多孔径干涉成像方法，包括步骤：a.利用多个小孔径阵列接收光信号，并进行分频干涉实现光信号从观测平面到孔径平面最后到达像平面的干涉成像，并计算得到多孔径干涉图像；b.根据得到的所述多孔径干涉图像重建目标图像。...
- 曾雪锋陈天宝张学军白莹莹张峰张志宇
- 文献传递
- 国人正面彩色图像人脸检测系统
- 本系统是中软吉大软件公司的人脸识别系统的一部分,中软公司主要是致力于做教育类的软件,本系统是该公司考试系统软件的一部分,目的是实时的确定考生的身份,以确定是本人参加考试。采用的方法:首先,利用人的肤色聚类特性建立肤色模型...
- 张峰
- 关键词：人脸识别人脸检测
- 文献传递
- 航天光学遥感器指向镜用胶选择被引量：7
- 2014年
- 航天光学遥感器指向镜的稳定性对提高图像几何精度起着至关重要的作用,而指向镜的胶粘剂决定了指向镜的指向稳定性,首先分析了遥感器对指向镜高稳定性指向的使用要求,然后对航天中常用的三种胶粘剂进行了全面对比,结合指向镜的实际使用要求,选择了HY914和SE-14-80两种胶粘剂进行粘接应力比较,通过为这两种胶粘剂制定合理的固化工艺路线,在相同的条件下进行了胶粘前后指向稳定性试验验证,试验结果表明,采用特定的固化工艺,使用SE-14-80粘接剂的指向镜粘接前后指向偏差约为1″,是航天光学遥感器指向镜胶粘剂的最优选择。鉴于其优异的粘接性能,此胶粘剂已在某在研项目中应用。
- 刘强何欣张峰
- 一种离轴三反非球面光学系统共基准检测与加工方法
- 本发明公开一种离轴三反非球面光学系统共基准检测与加工方法，一、分别对主反射镜和第三反射镜进行加工直至各单镜全口径干涉检测面形的RMS值均优于1/10λ，λ为激光干涉仪工作波长；二、根据设计参数，设计并加工用于固定主反射镜...
- 张学军王孝坤薛栋林郑立功张峰
- 文献传递
- 大口径光学元件抛光驻留时间快速求解方法
- 本发明涉及光学加工驻留时间求解技术领域，尤其涉及一种大口径光学元件抛光驻留时间快速求解方法。包括：通过干涉仪测量待加工工件表面的面形，根据实际加工对元件面形RMS指标的需要，降采样获得去除量分布；选择所述待加工工件的加工...
- 李龙响刘夕铭李兴昶张峰张学军
- 基于神经网络的像质指标决策抛光工艺参数的方法
- 本发明涉及光学加工技术领域，尤其涉及一种基于神经网络的像质指标决策抛光工艺参数的方法。包括：根据具体需求确定光学系统的结构参数；在光学系统中标记需要进行工艺决策的光学元件，记录历史加工数据；搭建光学系统，将被标记的光学元...
- 李龙响刘夕铭李兴昶程强张峰张学军
- 非球面研磨阶段检测技术的优化被引量：4
- 2002年
- 研磨阶段非球面的面形误差将由几十微米收敛到几个微米,适当的测量方法决定了该阶段误差的收敛速度和精度,而非圆对称离轴非球面加工研磨阶段的检测无疑更具难度。本文基于双四阶B样条函数的概念,提出了NURBS曲面拟合模型并用于指导非球面的研磨,同时给出应用实例,验证了该方法的有效性。
- 程灏波张学军郑立功张峰范镝
- 关键词：离轴非球面
- 一种自转移动式摆臂轮廓检测装置和检测方法
- 本发明涉及一种自转移动式摆臂轮廓检测装置和检测方法，涉及先进光学制造技术领域。该自转移动式摆臂轮廓检测装置包括：机床，摆臂轮廓检测装置、工件放置平台和待测工件。本发明通过构建摆臂式轮廓检测装置，其核心关节作用臂模型，可实...
- 熊玲罗霄陈昊李兴昶程强张峰张学军
- 磁流变抛光材料去除的研究被引量：22
- 2001年
- 磁流变抛光是近十年来的一种新兴的先进光学制造技术 ,它利用磁流变抛光液在梯度磁场中发生流变而形成的具有粘塑行为的柔性“小磨头”进行抛光。被抛光光学元件的材料去除是在抛光区内实现的。首先简要阐述了磁流变抛光的抛光机理 ,然后利用标准磁流变抛光液进行抛光实验。研究了磁流变抛光中几种主要工艺参数对抛光区的大小和形状以及材料去除率的影响情况。最后给出了磁流变抛光材料去除的规律。
- 张峰潘守甫张学军王权陡张忠玉
- 关键词：磁流变抛光
- 碳化硅基底改性硅表面的磁流变抛光被引量：18
- 2015年
- 为克服传统抛光方法在硅改性的碳化硅表面抛光存在的不足,采用磁流变抛光在精抛光阶段实现面形误差高效去除和快速收敛。基于实际应用中的对磁流变抛光液的需求,提出了磁流变液的性能要求,并配制了适合改性硅表面抛光的磁流变抛光液,检测所配制的抛光液体的流变特性和分散稳定性,证明了液体具有良好的性能。对口径为130 mm(有效口径为120 mm)的硅改性的同轴非球面碳化硅工件进行实际抛光。经过两个周期约3 h的抛光,面形误差均方根(RMS)从0.051λ(λ=632.8 nm)快速收敛至0.012λ,粗糙度Ra达0.618 nm。验证了所配制的磁流变抛光液满足碳化硅基底改性硅表面的抛光需求,证明了磁流变抛光技术在镜面硅改性后精抛光阶段具有独特的优势。
- 白杨张峰李龙响郑立功张学军
- 关键词：碳化硅磁流变抛光非球面
