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孙华军
作品数:
69
被引量:4
H指数:1
供职机构:
华中科技大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
自动化与计算机技术
理学
电子电信
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合作作者
缪向水
华中科技大学
李祎
华中科技大学
徐小华
华中科技大学
王青
华中科技大学
许磊
华中科技大学
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1篇
2010
2篇
2009
2篇
2008
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一种低栅压调控的二维硒化铟/硒化钨铁电异质结晶体管及制备方法
本发明属于异质结晶体管领域,公开了一种低栅压调控的二维硒化铟/硒化钨铁电异质结晶体管及制备方法,具体提供了一种二维硒化铟/硒化钨异质结铁电晶体管在低栅压条件下表现出更强的栅压调控铁电极化反转的能力中的应用。该二维硒化铟/...
孙华军
翟新豪
许济洋
祝楚骞
易蕴慧
汪宇凡
缪向水
沉积温度对Ge_2Sb_2Te_5溅射薄膜结构、电/光性质的影响(英文)
被引量:1
2010年
在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用X射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构,差示扫描量热法(DSC)确定的薄膜晶化温度为168℃(加热升温速率为5℃/min)。用四探针法测试薄膜的方块电阻,分光光度计测试薄膜的反射率谱,并根据反射率数据讨论在波长为405和650nm时薄膜的反射率对比度同沉积温度关系。结果表明:室温沉积的薄膜为非晶态;在衬底温度为140℃条件下薄膜已完全转变为晶态Ge2Sb2Te5,在300℃时出现少量的六方相;低于140℃时易形成非Ge2Sb2Te5组分的其它晶相,它们对薄膜的电/光性质有很大的影响,可能是导致此类相变光存储薄膜使用过程中反射率对比度下降的原因。
孙华军
侯立松
缪向水
吴谊群
关键词:
GE2SB2TE5薄膜
沉积温度
一种适用于Mamba block的推理计算电路系统
本发明属于电路设计相关技术领域,其公开了一种适用于Mamba block的推理计算电路系统,输入F经归一化电路生成F1,F1经忆阻器阵列投影生成F2和F3,F2激活生成F4,F3经忆阻器阵列卷积后再激活生成Xt,F1经忆...
孙华军
张峻铭
盛哲远
朱传波
缪向水
一种单通道忆阻器及其制备方法
本发明属于微电子器件技术领域,公开了一种单通道忆阻器及其制备方法,该单通道忆阻器包括由第一功能层(1)和第二功能层(2)堆叠形成的功能层;其中,第一功能层所采用的第一忆阻材料,与第二功能层所采用的第二忆阻材料之间,存在晶...
孙华军
王涛
白娜
缪向水
一种基于HfO<Sub>2</Sub>/ZrO<Sub>2</Sub>或HfO<Sub>2</Sub>/Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>超晶格铁电忆阻器及其制备
本发明属于微电子器件技术领域,公开了一种超晶格铁电忆阻器,包括自下而上依次堆叠的下电极层、功能层和上电极层,其中,所述功能层是由至少一个超晶格单元构成的超晶格功能层,每一个超晶格单元是由第一功能材料和第二功能材料自下而上...
孙华军
白娜
王文琳
缪向水
文献传递
一种跨知识领域的大模型组合系统
本发明属于人工智能相关技术领域,其公开了跨知识领域的大模型组合系统,包括定义智能体、选择智能体、主级大模型、至少两个次级大模型以及检查智能体,定义智能体管理当前所有大模型的领域关键字并调用主级大模型审查是否存在与问题适配...
孙华军
张峻铭
缪向水
一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路
本实用新型公开了一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路,包括第一相变存储器、第二相变存储器、第一可控开关元件和第一电阻;第一相变存储器的第一端作为与门电路的第一输入端,第二相变存储器的第一端作为与门电路的第二输入端;第一...
缪向水
李袆
钟应鹏
许磊
孙华军
程晓敏
文献传递
一种基于RRAM的非易失FPGA编程点电路及其操作方法
本发明公开了一种基于RRAM的新型非易失FPGA编程点电路,该编程点电路采用一种由两个RRAM元件同向串联组成的新颖结构,通过本发明,充分利用RRAM自身所具备的存储与计算结合的能力来实现配置、非易失以及掉电迅速恢复的功...
孙华军
陆家豪
缪向水
文献传递
基于忆阻器的图像特征选择方法及模块、神经网络模型
本发明公开了一种基于忆阻器的图像特征选择方法及模块、神经网络模型,其方法包括:获取包含多张图像的数据集,每张图像包含M个特征,每个特征的特征值为0或1;统计数据集中图像第i个特征的特征值为1的图像数量N<Sub>i</S...
孙华军
李莉
黄琛洋
缪向水
文献传递
一种基于忆阻器的带宽可调的滤波电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的带宽可调的低通滤波电路及其操作方法,该电路由包含忆阻器的一阶有源低通滤波电路以及忆阻器的编程电路构成。本发明利用忆阻器的阈值电压特性,将忆阻器的工作模式划分为模拟工作模式和编程工作模式,通过改...
孙华军
宋夷斌
陆家豪
缪向水
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