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刘晓平

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇砷化镓
  • 1篇可靠性
  • 1篇功率FET
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 1篇李祖华
  • 1篇范国华
  • 1篇金毓铨
  • 1篇刘晓平

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1997
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaAs微波功率FET可靠性评价技术研究被引量：4
1997年
为了使GaAs微波功率FET更可靠地应用于重要微波系统，选取高可靠器件生产线生产的CS0531型器件进行加速寿命试验，并研制了专用试验设备。观察到器件n因子随着试验时间有增大的趋势，初始低频噪声值与器件突然烧毁有一定的相关性。这一结果表明低频噪声有可能成为未来评价GaAs器件可靠性的一种方法。该器件失效机构激活能2．45eV，为道温度110℃时，10年平均失效率4Fit，平均寿命75137×1011h。
范国华刘晓平金毓铨吴亚洁颀世惠李祖华
关键词：可靠性功率FET砷化镓
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