您的位置: 专家智库 > >

刘志涛

作品数:3 被引量:5H指数:1
供职机构:太原理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:山西省回国留学人员科研经费资助项目国家自然科学基金山西省自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 3篇气相沉积
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电薄膜
  • 1篇导电
  • 1篇导电率
  • 1篇基底
  • 1篇CVD法
  • 1篇常压

机构

  • 3篇太原理工大学

作者

  • 3篇刘志涛
  • 2篇王永祯
  • 2篇蔡晓岚
  • 1篇王菡
  • 1篇王晓敏
  • 1篇王勇

传媒

  • 1篇太原理工大学...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
石墨烯透明导电薄膜的合成与表征被引量:3
2014年
以铜箔为基底采用化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯透明导电薄膜,利用SEM、RAMAN、UV和四探针测试仪对产物微观形貌与结构、透光性和导电性能进行表征,讨论反应温度和氢气流量对石墨烯薄膜结构及性能的影响。结果表明:在一定范围内调节氢气流量均可得到石墨烯薄膜;当反应温度为1000℃时,制备的石墨烯缺陷和层数较少,透光性较高。随温度升高;石墨烯薄膜产生的缺陷和层数减少,石墨烯的薄层电阻随生长温度的升高呈线性下降趋势。石墨烯透明薄膜的微观结构与导电性相互关系的研究为其进一步应用于宽波长范围的窗口电极材料提供了理论基础。
王永祯王勇刘志涛蔡晓岚
关键词:石墨烯透明导电薄膜化学气相沉积导电率
石墨烯薄膜的生长及结构表征研究被引量:1
2013年
在常压条件下,以铜箔为基底、CH4为碳源,通过化学气相沉积法(CVD)生长出了石墨烯薄膜。利用拉曼光谱、扫描电子显微镜、四探针电导率仪表征分析了产物。结果表明:生长温度为1 000℃,H2流量为60mL/min,CH4流量为2.5mL/min,Ar流量为80mL/min时,在基底表面生长出了连续分布的石墨烯薄膜,且大部分区域为单层,同时结晶程度高缺陷小;转移后的石墨烯薄膜面积大、透光性良好,兼具有良好的导电性,其薄层电阻为1 822Ω。
蔡晓岚刘志涛王菡王晓敏王永祯
关键词:石墨烯常压化学气相沉积
不同基底上CVD法制备石墨烯薄膜的工艺及结构表征
石墨烯是碳原子以sp2杂化构成的理想二维薄膜材料,因其优异的电学性能,特别是超高的载流子迁移率引起了学者们广泛的研究。自其被发现以来,如何实现石墨烯的大规模制备成为亟需解决的问题之一。在现有的石墨烯制备方法中,化学气相沉...
刘志涛
关键词:石墨烯化学气相沉积透明导电薄膜
文献传递
共1页<1>
聚类工具0