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齐贺飞

作品数：11 被引量：12H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇电路
  • 3篇电源
  • 2篇电源技术
  • 2篇压控
  • 2篇压控振荡器
  • 2篇噪声
  • 2篇振荡器
  • 2篇平面变压器
  • 2篇相位
  • 2篇相位噪声
  • 2篇漏感
  • 2篇开关电源
  • 2篇开关电源技术
  • 2篇集成电路
  • 2篇PLL
  • 2篇LC_VCO
  • 2篇变压
  • 2篇变压器
  • 2篇变压器漏感
  • 2篇磁元件

机构

  • 10篇中国电子科技...
  • 2篇北京大学

作者

  • 11篇齐贺飞
  • 6篇王磊
  • 3篇潘海波
  • 3篇李博
  • 3篇宋学峰
  • 3篇王绍权
  • 2篇要志宏
  • 2篇王立发
  • 2篇赵瑞华
  • 2篇刘帅
  • 2篇李晋
  • 1篇王乔楠
  • 1篇陈陵都
  • 1篇陈君涛
  • 1篇蒋永红
  • 1篇邓世雄
  • 1篇王硕
  • 1篇周全
  • 1篇马琳
  • 1篇王凯

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 2篇现代信息科技

年份

  • 3篇2024
  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种抗单粒子效应的加固技术研究被引量：3
2022年
针对数字波控电路在星载控制电路应用中存在的单粒子翻转效应问题,提出了一种基于DICE单元的双稳态D触发器设计改进,设计了一种能够抵御众多类型单粒子翻转效应的D触发器,并基于该D触发器,结合电路级单粒子加固技术设计了一款串并转换芯片。测试表明,采用改进D触发器结构的波控芯片能够抵御至少80 MeV的单粒子效应事件。芯片峰值功耗不大于10 mA,写入速率不低于10 MHz,功耗为1 mW/MHz。
齐贺飞王磊王鑫王绍权张梦月
关键词：单粒子效应抗辐照三模冗余
容性负载充电电路及电源
本发明提供一种容性负载充电电路及电源。该容性负载充电电路包括：第一MOS场效应管、第一二极管及控制装置；第一MOS场效应管的漏极与容性负载充电电路的正输入端连接，源极分别与容性负载充电电路的正输出端及第一二极管的阴极连接...
赵子轩王磊张运刚王鑫刘阔徐林郝春昊马琳齐贺飞江浩樊泽培王乔楠郭丰强刘兰坤王立发
存储器读写结构、方法及FFT处理器
本发明提供一种存储器读写结构、方法及FFT处理器，涉及半导体集成电路技术领域。该方法包括：在上一帧流水线数据以第一顺序写入存储器的情况下，将当前帧流水线数据以第二顺序写入所述存储器；在当前帧流水线数据以第二顺序写入所述存...
张梦月王磊 王鑫齐贺飞 郭丰强李博 崔鹏壮 闫维高 孙硕 王蔚然 王飞 陈帅邓世雄周全王立发王凯
多段LC VCO的自适应频段选择技术被引量：2
2013年
摘要：研究了一款单片CMOSLc压控振荡器（VCO）。除可变电容和开关电容阵列外，设计中还应用了二叉树的原理。多频段VCO自适应选择最优工作频段，将压控电压置于预先设定的范围内，谐振频率放在该频段的中心附近，提高了VCO的工作稳定性。设计难点在于如何控制压控电压位于合适的范围。将该VCO应用在锁相环（PLL）中，对锁相环芯片测试的结果表明，当压控电压为1～2V时，锁相环能够快速锁定，频率输出范围为600～1300MHz。电荷泵的NMOS和PMOS匹配最佳，相位噪声最好。自适应频段选择技术还提高了锁相环的工作可靠性，强制控制电压进入设定区间，保证了锁相环可靠入锁，在高、低温下也不会发生失锁。
齐贺飞陈陵都赵瑞华李晋陈君涛
关键词：二叉树多频段
一种用于图像加速的DMA2D控制器被引量：4
2022年
随着片上系统(SoC)规模的不断增大,直接内存存取(DMA)控制器的功能也越来越完善,但目前对DMA控制器用于图像处理方面的理论研究和实现方法却鲜有报道。为了提高液晶屏(LCD)图像的刷新速度并降低内核的资源占用,提出了一种用于图像数据处理的二维DMA(DMA2D)控制器。该控制器基于先进高性能总线(AHB)完成数据传输,支持多种RGB图像输入输出格式并且能够进行两层图像的混合处理运算。对DMA2D的技术和工作原理进行分析,提出了较为完善的DMA2D控制器的设计方案。后端设计基于28 nm工艺库,测试结果表明,DMA2D控制器的工作频率可达到180 MHz,面积仅为400μm×500μm,相比于通用DMA控制器,其面积减小约69%,功耗仅为2.97 mW。DMA2D控制器加速启用后,速度提升约60%,数据传输速度可达330 MiB/s,显著提高了液晶屏的图像刷新速度。
王磊王鑫王绍权闫维高齐贺飞
关键词：物理设计
一种平面变压器及开关电源
本发明适用于开关电源技术领域，提供了一种平面变压器及开关电源，所述平面变压器包括：至少两圈初级线圈串联连接组成的初级绕组和两个次级绕组；各初级线圈分别包括至少两层PCB板，且每层PCB板并联连接；各次级绕组分别包括至少一...
徐林王鑫刘帅要志宏潘海波齐贺飞张梦月宋学峰李博祁广峰兰彬徐召华刘素岩
文献传递
一款射频宽带低噪声LC VCO的设计与实现
近年来，国家将集成电路芯片国产化提升到国家战略发展的高度，无疑对于当前集成电路产业的发展发出了强有力地推动信号。无线通讯技术和个人通讯技术的革新以及CMOS工艺的不断创新改进，对于无线收发模块如低噪声放大器(LNA)、混...
齐贺飞
关键词：CMOS集成电路线性时不变
一种平面变压器及开关电源
本发明适用于开关电源技术领域，提供了一种平面变压器及开关电源，所述平面变压器包括：至少两圈初级线圈串联连接组成的初级绕组和两个次级绕组；各初级线圈分别包括至少两层PCB板，且每层PCB板并联连接；各次级绕组分别包括至少一...
徐林王鑫刘帅要志宏潘海波齐贺飞张梦月宋学峰李博祁广峰兰彬徐召华刘素岩
文献传递
18GHz整数频率合成芯片
2016年
设计了一款工作频率可达18 GHz的低噪声整数频率合成芯片。该芯片内部集成参考分频器、频率鉴相电路、电荷泵电路、射频分频器等。对影响锁相环带内相位噪声的两个关键电路（鉴频鉴相器和电荷泵电路）进行了详细分析。对射频分频器电路也进行了详细的讨论。用Si Ge Bi CMOS工艺进行了流片,芯片面积为2 100μm×1 900μm。测试结果表明,芯片在（3.3±0.3）V,温度为-55~85℃环境下,可以稳定工作,典型电流为76 m A,实现射频分频器工作频率为4~18 GHz,参考分频器工作频率为1~160 MHz,鉴相器工作频率为1~105 MHz,典型归一化本底噪声为-228 d Bc/Hz。该芯片在超宽带低噪声频率合成的微波组件中有很好的应用前景。
李晋齐贺飞王硕蒋永红赵瑞华
关键词：电荷泵分频器相位噪声
一种基于CMOS工艺的低相噪压控振荡器的设计被引量：3
2022年
基于标准CMOS工艺,设计了一款适用于无线通信的基于标准CMOS工艺的频带压控振荡器,该芯片的中心频率2.8 GHz,芯片面积0.5×0.5 mm^(2),典型功耗为11 mA@3.3 V。测试结果表明,在0.8 V~2.5 V的电压调节范围内,压控振荡器输出频率范围为2.3 GHz~3.3 GHz,通过电容阵列实现了1 GHz的调谐带宽,在2.8 GHz频率时的典型相位噪声为-81 dBc/Hz@10 kHz,压控振荡器的典型增益为40 MHz/V。
齐贺飞王磊王鑫王绍权张梦月
关键词：压控振荡器可变电容相位噪声
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