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陈丰平

作品数：10 被引量：3H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 7篇欧姆接触
  • 6篇肖特基
  • 6篇4H-SIC
  • 5篇肖特基接触
  • 4篇碳化硅
  • 4篇二极管
  • 3篇肖特基二极管
  • 2篇电池
  • 2篇电池效率
  • 2篇心脏
  • 2篇心脏起搏
  • 2篇心脏起搏器
  • 2篇三极管
  • 2篇欧姆接触电极
  • 2篇起搏
  • 2篇起搏器
  • 2篇接触电极
  • 2篇抗辐射
  • 2篇核电池
  • 2篇发射区

机构

  • 10篇西安电子科技...

作者

  • 10篇陈丰平
  • 9篇张玉明
  • 5篇吕红亮
  • 5篇宋庆文
  • 5篇郭辉
  • 5篇张义门
  • 4篇石彦强
  • 3篇郑庆立
  • 2篇侯学智
  • 2篇汤晓燕
  • 2篇韩超
  • 2篇王悦湖
  • 2篇张林
  • 1篇黄健华
  • 1篇黄健华
  • 1篇贾仁需

年份

  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
4H-SiC混合PiN/Schottky二极管的一种复合终端结构的研究
碳化硅以其优越的材料性能在功率器件领域得到广泛的研究和应用,同时混合PiN/Schottky二极管(MPS)是一种理想的整流器件。针对4H-SiCMPS器件设计并优化了一种带有偏移场板的场限环和结终端扩展的复合型终端结构...
黄健华吕红亮张玉明张义门汤晓燕陈丰平宋庆文
关键词：4H-SIC结终端技术
4H-SiC功率肖特基势垒二极管（SBD）和结型势垒肖特基（JBS）二极管的研究
碳化硅（SiC）由于具有禁带宽度大、临界位移能高、热导率高等优点而成为制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料。在功率系统中，一个良好的整流器件应具有较小的导通电阻、较低的泄漏电流、较高的击穿电压以及...
陈丰平
关键词：4H-SIC肖特基势垒二极管直流特性
文献传递
基于碳化硅三极管的β射线探测器
本发明公开了一种基于碳化硅三极管的β射线探测器及其制作方法，主要解决了现有β射线探测器灵敏度低，抗辐照性能差和工作电压高的问题。该β射线探测器自上而下依次包括发射极欧姆接触(1)、掺杂浓度为1×10<Sup>19</Su...
郭辉石彦强张玉明陈丰平
场限环结构的4H－SiC PiN/肖特基二极管制作方法
本发明公开了一种场限环结构的4H－SiC PiN/肖特基二极管制作方法，其过程是：在4H－SiC衬底正面生长N<Sup>－</Sup>外延层；在N<Sup>－</Sup>型外延层上采用Ni/Au金属层作为阻挡层，进行多次...
张玉明陈丰平吕红亮郭辉贾仁需宋庆文郑庆立张义门
文献传递
碳化硅指状肖特基接触式核电池
本发明公开了一种基于碳化硅的指状肖特基接触式核电池及其制作方法，主要解决现有技术中碳化硅pn结核电池制作工艺困难及肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层(1)、放射性同位素源层(3)、指状半透明肖特基接...
郭辉石彦强张玉明韩超陈丰平侯学智
文献传递
偏移场板结构的4H-SiC PiN/肖特基二极管及其制作方法
本发明公开了一种偏移场板结构的4H-SiC PiN/肖特基二极管。它包括N<Sup>+</Sup> 4H-SiC衬底和同型N<Sup>-</Sup>外延层；衬底背面设有N型欧姆接触；N<Sup>-</Sup>外延层上设有...
张玉明陈丰平吕红亮王悦湖张林郑庆立宋庆文张义门
文献传递
碳化硅指状肖特基接触式核电池
本发明公开了一种基于碳化硅的指状肖特基接触式核电池及其制作方法，主要解决现有技术中碳化硅pn结核电池制作工艺困难及肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层(1)、放射性同位素源层(3)、指状半透明肖特基接...
郭辉石彦强张玉明韩超陈丰平侯学智
具有埋层结构的4H—SiC混合PiN/Schottky二极管的研究
碳化硅以其优越的材料性能在功率器件领域得到广泛的研究和应用,同时混合PiN/Schottky 二极管(MPS)是一种理想的整流器件。本文利用二维半导体器件模拟软件ISE—DESSIS讨论了一种具有埋层的4H—SiC MP...
黄健华吕红亮张玉明张义门汤晓燕陈丰平宋庆文
关键词：4H-SIC反向漏电流
偏移场板结构的4H－SiC PiN/肖特基二极管及其制作方法
本发明公开了一种偏移场板结构的4H－SiC PiN/肖特基二极管。它包括N<Sup>+</Sup>4H－SiC衬底和同型N<Sup>－</Sup>外延层；衬底背面设有N型欧姆接触；N<Sup>－</Sup>外延层上设有多...
张玉明陈丰平吕红亮王悦湖张林郑庆立宋庆文张义门
文献传递
基于碳化硅三极管的β射线探测器
本发明公开了一种基于碳化硅三极管的β射线探测器及其制作方法，主要解决了现有β射线探测器灵敏度低，抗辐照性能差和工作电压高的问题。该β射线探测器自上而下依次包括发射极欧姆接触(1)、掺杂浓度为1×10<Sup>19</Su...
郭辉石彦强张玉明陈丰平
文献传递
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