阎桂珍
- 作品数：20 被引量：20H指数：3
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划“九五”国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信动力工程及工程热物理机械工程电气工程更多>>
- 硅的深槽刻蚀技术
- 硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法，采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300至1000)作掩膜，利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽，刻蚀气体选用对设备危害程度很...
- 张利春钱钢阎桂珍王咏梅王阳元
- 文献传递
- 薄膜全耗尽SOI MOSFET单晶体管Latch效应被引量：1
- 1995年
- 本文在详细分析各种不同条件下全耗尽ＭＯＳＦＥＴ单晶体管Ｌａｔｃｈ效应测试结果的基础上，较为详细地讨论了单晶体管Ｌａｔｃｈ效应的物理机理，发现单管Ｌａｔｃｈ效应与ＭＯＳＦＥＴ的寄生双极晶体管有着极其密切的关系，最后还给出了相应的改进措施。
- 魏丽琼程玉华孙玉秀阎桂珍李映雪武国英王阳元
- 关键词：场效应晶体管SOI
- 0.8-1.2微米微细加工艺技术
- 王阳元张利春倪学文张录张大成阎桂珍宁宝俊高玉芝马平西等
- 一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标：1、工艺技术方面：成功开发了包括多晶硅发射区、浅结和薄基区、硅深槽刻蚀和隔离、E-B侧墙氧化物自对准、钴硅化物自对准接触及其引用线技术、双层金属布线、芯片背面溅射金属化技术等一整...
- 关键词：
- 关键词：集成电路工艺超大规模集成电路
- 一种新的硅深槽刻蚀技术研究被引量：3
- 1994年
- 本文报告了一种获得侧壁陡直的硅深槽新技术．实验中采用一种新材料──氮化锆（ＺｒＮ）作为反应离子刻蚀的掩模，所需掩模厚度约５００．采用氟基气体ＳＦ６作为刻蚀气体，并附加Ａｒ和Ｏ２，这样刻蚀过程中在槽的侧壁会形成氧化硅作为阻挡刻蚀层，结果得到了深约６μｍ，侧壁垂直接近９０°的硅深槽．
- 钱钢张利春阎桂珍王咏梅张大成王阳元
- 关键词：硅深槽刻蚀反应离子刻蚀
- Au-GaN肖特基结的伏安特性被引量：5
- 2000年
- 在 MBE和 MOCVD两种方法制备的 n- Ga N材料上制作了 Au- Ga N肖特基结 ,测定了肖特基结的室温 I- V特性 .分析表明 :Ga
- 林兆军张太平武国英王玮阎桂珍孙殿照张建平张国义
- 关键词：MBEMOCVD肖特基结伏安特性氮化镓
- 射流角速度传感器及其制备方法
- 本发明提供了一种射流角速度传感器及其制备工艺，属于微电子机械系统设计及加工领域。该传感器包括两个振动腔、四个整流腔和一个检测腔，振动腔内气体被驱动可循环，在每个振动腔两侧分别设有两个整流腔，被驱动的气体经整流腔流入检测腔...
- 杨楷周健阎桂珍
- 文献传递
- 硅的深槽刻蚀方法
- 硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法，采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300A至1000A)作掩膜，利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽，刻蚀气体选用对设备危害程度很...
- 张利春钱钢阎桂珍王咏梅王阳元
- 文献传递
- 一种CMOS电路与体硅微机械系统集成的方法
- 本发明公开了一种将单片CMOS与体硅微机械系统集成的方法，其技术方案为：1)形成隔离槽：采用深槽刻蚀，SiO<Sub>2</Sub>和多晶硅填充，实现MEMS结构和CMOS电路的绝缘；2)完成隔离槽后进行标准CMOS电路...
- 阎桂珍郝一龙朱泳王成伟张大成王阳元
- 文献传递
- 硅腐蚀液及其制备方法
- 本发明涉及一种硅腐蚀液及其制备方法。本发明用5wt.%TMAH腐蚀液,在恒温85℃左右,溶解1.4－2.0wt.%的硅,然后加入0.4－0.7wt.%的过硫酸铵,溶解后得到硅腐蚀液。在微电子机械系统加工中,该腐蚀液既能对...
- 阎桂珍陈正豪单建安邢怡铭王阳元
- 文献传递
- 扭转微镜光学致动器研究被引量：3
- 2003年
- 应用基于表面硅、体硅微电子工艺的混合微加工技术研制了新型扭转微镜光学致动器 ,实现了致动器结构与具有光纤自固定、自对准功能的新型光纤定位保持结构的单片集成。新型扭转微镜光学致动器的机电和光学特性研究表明 ,其工作寿命超过 10 8次动作 ,最小动作时间估计可低于2ms ,存在驱动微镜自然地翻转 90°角的静电阈值电压和维持微镜处于已翻转 90°角状态的静电最低保持电压 ;其微镜的表面粗糙度及其分布基本满足光的波分复用技术等的应用要求。新型扭转微镜光学致动器可在光纤网络中作为光开关或可变光衰减器使用。设计、制作及研究了由新型扭转微镜光学致动器组成的 2×
- 吴文刚栗大超袁勇孙卫阎桂珍郝一龙靳世久
- 关键词：致动器光开关光纤通信
