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赵劼

作品数:31 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术文化科学经济管理更多>>

文献类型

  • 29篇专利
  • 2篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇文化科学

主题

  • 12篇版图
  • 11篇半导体
  • 10篇鳍片
  • 9篇单元库
  • 9篇标准单元库
  • 7篇电路
  • 6篇版图设计
  • 6篇半导体器件
  • 5篇集成电路
  • 4篇栅极
  • 4篇金属
  • 4篇刻蚀
  • 4篇FINFET
  • 3篇电极
  • 3篇源区
  • 3篇接触孔
  • 3篇介质层
  • 3篇集成度
  • 3篇光刻
  • 3篇反熔丝

机构

  • 31篇中国科学院微...

作者

  • 31篇赵劼
  • 18篇陈岚
  • 18篇尹明会
  • 13篇钟汇才
  • 6篇罗海燕
  • 4篇赵超
  • 4篇朱慧珑
  • 4篇罗军
  • 3篇周宠
  • 3篇赵浙业
  • 2篇叶甜春
  • 2篇王晨
  • 1篇吴玉平
  • 1篇钱燕
  • 1篇张卫华
  • 1篇周欢欢

年份

  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2017
  • 8篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 6篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
31 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种纳米工艺金属层版图的优化设计方法
本发明实施例提供一种纳米工艺金属层版图的优化设计方法,包括:对标准单元金属层版图完成物理设计后,对所述金属层版图的金属线布局及走线进行调整;优化所述金属层版图的输入端金属线的线宽及间距;优化所述金属层版图的输出端金属线的...
赵浙业陈岚尹明会赵劼
文献传递
一种增强半导体金属层可靠性的版图生成方法及系统
本发明提供一种增强半导体金属层可靠性的版图生成方法及系统。其中,方法包括:接收大面积金属及金属孔的尺寸数据,以及金属孔的行间距、列间距数据;根据大面积金属及金属孔的尺寸数据,以及金属孔的行间距、列间距数据,确定金属孔的行...
尹明会陈岚赵劼
文献传递
参数化生成多倍强度驱动单元的方法
本发明提供一种参数化生成多倍强度驱动单元的方法,包括:a)准备单位驱动强度单元的版图,所述单位驱动强度单元的两侧的有源区配置为可直接连接;b)接收指定多倍强度驱动单元中单位驱动强度单元个数的输入参数;c)将输入参数所指定...
陈岚周宠尹明会赵劼
文献传递
对精简标准单元库进行优化的方法
本发明公开了一种对精简标准单元库进行优化的方法,该方法包括:选择实现所需电路功能的基本单元,该基本单元至少包括反相器、缓冲器、基本门单元、混合门单元、运算单元和时序单元;在精简标准单元库中增加延迟单元、上拉/下拉单元、填...
罗海燕陈岚尹明会赵劼
半导体器件及其制造方法
一种半导体器件,包括在绝缘衬底上沿第一方向延伸分布的多个鳍片结构、横跨多个鳍片结构沿第二方向延伸分布的栅极堆叠结构、在栅极堆叠结构沿第一方向两侧的源漏区,其中,多个鳍片结构上具有外延层。依照本发明的半导体器件及其制造方法...
钟汇才罗军赵劼赵超朱慧珑
文献传递
一种实现冗余金属填充模板的方法及其系统
本发明涉及版图设计技术,公开了一种实现冗余金属填充模板的方法及其系统,该方法包括:获取填充区域的长度和宽度以及冗余金属块的长度和宽度;依据所述填充区域的长度和宽度以及所述冗余金属块的长度和宽度计算所述填充区域中所述冗余金...
尹明会陈岚赵劼
半导体器件
一种半导体器件,包括一个或多个FinFET反相器,每个FinFET反相器包括至少一个PFinFET和至少一个NFinFET,PFinFET和NFinFET每一个均包括:多个鳍片结构,在衬底之上沿第一方向延伸;栅极,沿第二...
赵劼钟汇才
文献传递
标准单元库版图设计规则检查验证方法
一种标准单元库版图设计规则检查验证方法,其特征在于,运行脚本对标准单元库所有单元版图进行批量设计规则检查验证,所述方法包括:产生标准单元库路径信息;产生标准单元库所有单元名称列表;产生设计规则文件;运行设计规则检查命令;...
赵劼陈岚尹明会
文献传递
一种基于Cell的层次化光学邻近效应校正方法
本发明涉及65纳米集成电路的制造工艺和版图设计技术领域,公开了一种基于Cell的层次化光学邻近效应校正(OPC)方法。该方法通过将层次化设计的概念引入到全芯片OPC修正过程中,将所有标准单元图形规则化,并在标准单元库构建...
罗海燕陈岚尹明会赵劼
半导体器件及其制造方法
一种半导体器件,包括:多个鳍片,在衬底上沿第一方向延伸;多个栅极堆叠和多个接触线条,在衬底上沿第二方向延伸并跨越多个鳍片;绝缘层,填充在多个栅极堆叠和多个接触线条之间;源漏区,在多个鳍片中、分布在多个栅极堆叠两侧;其中,...
钟汇才罗军赵劼赵超朱慧珑
文献传递
共4页<1234>
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