解群眺
- 作品数：6 被引量：11H指数：3
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- CoFe_2O_4薄膜厚度对其微结构和磁性能的影响被引量：1
- 2010年
- 以铁和钴的硝酸盐为主要原料,采用sol-gel旋涂法在Si(001)基片上制备了不同厚度的CoFe2O4(CFO)薄膜。研究了薄膜厚度对其结构、形貌及磁性能的影响。结果表明:随着其厚度的增大,薄膜的结晶度变好,薄膜晶粒度逐渐增大到70nm。Ms随着薄膜厚度的增大先增大后减小;Hc的变化规律和Ms相反。当薄膜厚度为800nm时,Ms达到最大值59.2A·m2/kg,此时Hc最小为106.7kA/m。该薄膜具有高度的平行各向异性。
- 张亚磊杨成韬于永杰解群眺
- 关键词：微结构磁性能
- 退火对ZnO薄膜结构及缺陷的影响被引量：4
- 2011年
- 采用射频反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,采用X线衍射(XRD)、X线光电子能谱(XPS)分析方法研究了退火对ZnO薄膜结构及缺陷的影响。结果表明,随着退火温度的上升,薄膜的择优取向及取向一致性更好,晶化程度增高,晶粒尺寸变大。退火使更多的Zn间隙原子回到晶格位置,并弥补薄膜中氧的不足,且高温退火易引起氧的解析,三者相互作用使晶面间距随着退火温度的上升而逐渐变小,压应力变大,ZnO中的O含量逐渐减少,Zn/O的原子比逐渐接近于1。
- 解群眺毛世平薛守迪
- 关键词：ZNO薄膜退火温度
- 退火对溶胶-凝胶法CoFe_2O_4薄膜结构与磁性的影响
- 2009年
- 采用溶胶-凝胶法在Si(001)基片上制备了CoFe2O4(CFO)薄膜,对样品进行不同温度的快速退火处理,并采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、振动样品磁强计(VSM)对薄膜进行微结构与磁性能分析。结果表明,薄膜退火温度在450℃及以上时生成无择尤取向的单一尖晶石相。随着退火温度上升,薄膜的晶化程度增高,Ms增大。650℃左右退火薄膜晶粒达到单畴临界尺寸,导致Hc随着退火温度的继续上升而逐渐下降。EDS分析表明,成膜后的化学计量比偏移很小。
- 解群眺杨成韬张亚磊
- 关键词：溶胶-凝胶法磁性
- 双层纳米磁电薄膜模型及分析被引量：3
- 2009年
- 以层状磁电复合材料弹性力学模型为基础,建立了自由状态下双层纳米磁电薄膜的弹性力学模型,并以此为基础简单介绍了推导其磁电电压系数表达式的方法.计算了CoFe2O4/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3双层纳米复合薄膜的磁电电压系数理论值,分析结果表明基片对薄膜存在强烈的夹持效应,而且基片对压电与磁致伸缩两相材料间最佳体积比有一定的影响.
- 王磊杨成韬解群眺叶井红
- 关键词：铁电材料磁致伸缩
- 衬底温度对AlN薄膜结构及电阻率的影响被引量：3
- 2011年
- 采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AlN薄膜,利用XRD、原子力显微镜(AFM)、电流-电压(I-V)测试仪等对不同衬底下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征。结果表明:随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,AlN(002)择优取向明显改善,600℃达到最佳。一定范围内提高温度使晶粒均匀、致密,有利于改善表面粗糙情况和提高电阻率,550℃时表面粗糙度达到最低(2.8 nm)且有最大的电阻率(3.35×1012Ω.cm);同时薄膜应力随温度升高有增大趋势。
- 薛守迪杨成韬解群眺毛世平
- 关键词：AIN薄膜衬底温度XRD
- 基于FPGA自适应数字频率计的研究与设计
- 介绍一种基于计数法测频原理和FPGA设计思想，利用VHDL硬件描述语言设计自适应数字频率计的方法。此系统设计自顶向下，采用模块化单元构建，实现自动清零，自动换量程和超量程报警功能，被测频率在1KHZ以上时测试精度达到99...
- 解群眺叶璟欣李珣薛守迪
- 关键词：可编程逻辑器件VHDL语言系统设计
- 文献传递
