舒伟
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京邮电大学电子工程学院光通信与光波技术教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 纤锌矿结构GaAs(1010)表面特性的第一性原理研究
- GaAs纳米线通常呈现纤锌矿结构(wurtzite),而WZ(1010)侧面已被实验所观测到。我们利用第一性原理计算了GaAs(1010)的表面驰豫和表面能,计算结果表明:(1010)A表面只出现原子的驰豫现象,表面能为...
- 舒伟张霞黄辉黄永清任晓敏
- 关键词：纤锌矿结构第一性原理表面能
- 文献传递
- 纤锌矿结构GaAs(1010)表面特性的第一性原理研究
- 2011年
- GaAs纳米线通常呈现纤锌矿结构(WZ),而WZ(1010)侧面已被实验所观测到。利用第一性原理计算了GaAs(1010)的表面弛豫和表面能,计算结果表明:(1010)A表面只出现原子的弛豫现象,表面能为40.6×1020meV/m2;而(1010)B表面却重构形成了GaGa和AsAs二聚体,表面能为63.5×1020meV/m2。相对于ZB(110)表面,WZ(1010)A面具有更低的表面能,(1010)A表面具有更好的稳定性,说明了在表面能占重要影响的纳米线中WZ结构存在的合理性。
- 舒伟张霞黄辉黄永清任晓敏
- 关键词：纤锌矿结构第一性原理表面能
- 含B闪锌矿三元系半导体B_xIn_(1-x)P和B_xGa_(1-x)P带隙理论预测被引量：1
- 2007年
- 利用第一性原理计算方法,用广义梯度近似(GGA)处理电子之间的交换关联能,计算了BxIn1-xP,BxGa1-xP的带隙结构.BxIn1-xP的带隙弯曲参数b_Eg(Γ)=4.32eV,b_Eg(X)=1.8eV,它从直接带隙转变为间接带隙时B的含量为0.47;在小量B的掺入下,可使BxIn1-xP的带隙变小,在x=0.15时带隙达到最小值1.33eV.BxGa1-xP的带隙弯曲参数b_Eg(Γ)=1.37eV,b_Eg(X)=2.46eV,在整个组分内是间接带隙.BxIn1-x-P,BxGa1-xP有较大的带隙弯曲参数,是由于组成它们的二元系之间存在较大的晶格失配.
- 熊德平任晓敏王琦舒伟周静吕吉贺黄辉黄永清
- 关键词：带隙广义梯度近似
