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王纯

作品数：2 被引量：3H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇掺杂
  • 1篇电路
  • 1篇电子束
  • 1篇浅结
  • 1篇辉光
  • 1篇辉光放电
  • 1篇集成电路
  • 1篇半导体
  • 1篇磷
  • 1篇硼

机构

  • 2篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇王纯
  • 2篇李秀琼
  • 1篇杨军
  • 1篇王培大

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 1篇1992
  • 1篇1990
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
冷发射电子束掺杂磷被引量：2
1990年
一种新的冷发射电子束掺杂方法已研究成功。这种方法可实现高浓度(C_(max)=2.8×10^(20)/cm^3),超浅结[(x_j)_(min)≤0.1μm],而且损伤比离子注入的小得多。用这种方法制备的太阳能电池控制器件性能很好。
李秀琼王培大马祥彬王纯
关键词：掺杂磷集成电路
辉光放电电子束掺杂硼浅结被引量：2
1992年
一种新的半导体掺杂方法——电子束掺杂法成功地用于实现掺硼浅结.它是用辉光放电电子束辐照涂敷杂质源的半导体表面,形成高浓度(≥10^(20)/cm^3)、浅结(≤0.1μm)掺杂层.损伤比离子注入的小.试制成功的太阳敏感器件性能优良.
李秀琼王纯马祥彬杨军
关键词：硼浅结半导体
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共1页<1>
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