王石冶
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金上海市科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 埋嵌在高k介质中Ce纳米晶的制备及其电荷储存特性的研究
- 王石冶
- 埋嵌在高k介质中Ge纳米晶的制备及其电荷存储特性的研究
- 自从S.Wiwari在应用物理快报上，公布出第一个基于Si纳米晶存储电荷的纳米浮栅存储器，全世界越来越多的研究人员开始关注这种新型的非挥发性存储器，并希望其取代目前常用的多晶硅浮栅存储器(Flash)。当半导体结点技术发...
- 王石冶
- 关键词：微电子学固体电子学
- 文献传递
- SOI在射频电路中的应用被引量：2
- 2005年
- 随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势。文章分析了RF电路 发展中遇到的挑战和SOI在RF电路中的应用优势,综述了SOI RF电路的最新进展。
- 骆苏华刘卫丽张苗狄增峰王石冶宋志棠孙晓玮林成鲁
- 关键词：射频集成电路FD-SOICMOSSIMOX
- SOI在高压器件中的应用被引量：1
- 2004年
- 综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论.
- 王石冶刘卫丽张苗林成鲁宋志棠
- 关键词：SOI高压器击穿电压
- SOI在高压器件中的应用
- 综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论。
- 王石冶刘卫丽张苗林成鲁宋志棠
- 关键词：SOI高压器击穿电压
- 文献传递
