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朱广敏

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

领域

  • 1篇化学工程

主题

  • 3篇激光
  • 2篇氮化镓
  • 2篇氮化镓基材料
  • 2篇倒装
  • 2篇倒装结构
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇四氯化硅
  • 2篇氯化
  • 2篇氯化硅
  • 2篇激光剥离
  • 2篇光效
  • 2篇光效率
  • 2篇出光
  • 2篇出光效率
  • 1篇电参数
  • 1篇多量子阱
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀工艺
  • 1篇划片
  • 1篇激光辐照

机构

  • 3篇北京大学
  • 1篇上海蓝光科技...

作者

  • 3篇朱广敏
  • 2篇陈诚
  • 2篇孙永健
  • 2篇潘尧波
  • 2篇郝茂盛
  • 2篇张国义
  • 2篇邓俊静
  • 2篇齐胜利
  • 2篇颜建锋
  • 2篇李士涛
  • 2篇陈志忠

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法
本发明提供了一种氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法，先用盐酸溶液浸泡去除金属镓，然后依次进行反应气氛为氮气或惰性气体的ICP预处理，反应气氛为氯气、四氯化硅和氩气的ICP处理，以及反应气氛为氧气和三氟甲烷的ICP后处理...
齐胜利陈志忠孙永健张国义郝茂盛潘尧波邓俊静颜建锋朱广敏陈诚李士涛
一种发光二极管芯片制作方法
本发明提供一种发光二极管芯片制作方法，该方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上生长N型氮化物层、P型氮化物层以及介于N型氮化物层和P型氮化物层之间的多量子阱层获得发光二极管晶片；(2)利用激光辐照技术对发光二极管晶片进行正面划...
张楠朱广敏郝茂盛张国义陈志忠齐胜利田鹏飞李士涛袁根如陈诚
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氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法
本发明提供了一种氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法，先用盐酸溶液浸泡去除金属镓，然后依次进行反应气氛为氮气或惰性气体的ICP预处理，反应气氛为氯气、四氯化硅和氩气的ICP处理，以及反应气氛为氧气和三氟甲烷的ICP后处理...
齐胜利陈志忠孙永健张国义郝茂盛潘尧波邓俊静颜建锋朱广敏陈诚李士涛
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