曾玉刚
- 作品数：68 被引量：107H指数：6
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 980nm高功率垂直腔面发射激光列阵的单元结构优化被引量：10
- 2011年
- 为了提高980nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵的整体性能,对列阵单元器件的分布布拉格反射镜(DBR)的反射率进行了优化。分析了DBR的反射率与阈值电流,输出功率及转换效率之间的关系,在维持较低阈值电流的前提下适当调节了N-DBR的反射率,使单元器件斜率效率得到了有效提高,进而改善了VCSEL列阵的整体输出特性。优化DBR反射率后研制出的包含64个单元的VCSEL列阵器件在注入电流为6A时的连续输出功率为2.73W;在脉宽为100ns,重复频率为100Hz的130A脉冲电流驱动下输出功率达到115W;包含300个单元的列阵器件在注入电流为18A时,连续输出功率达到5.26W。对N-DBR反射率进行优化后,VCSEL列阵的整体输出特性得到了有效改善。
- 张星宁永强曾玉刚秦莉刘云王立军
- 关键词：半导体激光器垂直腔面发射激光器结构优化分布布拉格反射镜
- 一种基于脊形有源区弱波导的半导体光放大器
- 本发明公开了一种基于脊形有源区弱波导的半导体光放大器，包括有源层，以及分别生长于有源层上表面和下表面的上波导层和下波导层，有源层的折射率与上波导层或者下波导层的折射率的差值小于或者等于阈值，使得基模强光场从有源层扩散至所...
- 梁磊张建张星秦莉曾玉刚宁永强王立军
- 文献传递
- 非对称布拉格反射波导半导体激光器的特性研究被引量：3
- 2013年
- 报道了一种采用非对称布拉格反射波导结构的边发射半导体激光器,激光器n型波导采用分布布拉格反射镜,光场通过光子带隙效应限制在低折射率中心腔内,这可有效扩展光模式尺寸并保持稳定的模式特性。激光器p面则利用全反射原理进行光限制,减小了光场与p型区的交叠,从而使器件电阻和内部损耗降低。制备的3μm条宽、未镀膜及未封装的器件在室温条件下,连续和脉冲工作总输出功率分别可超过160mW和400mW,最高功率受热扰动限制。激光器激射波长为995nm,阈值电流特征温度为121K。计算和测量的垂直方向远场光斑证明了器件工作于光子晶体缺陷模式。
- 汪丽杰佟存柱田思聪曾玉刚吴昊秦莉王立军
- 关键词：激光器半导体激光器光子带隙
- 量子阱调制双波长光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器
- 2022年
- 报道了一种采用单个增益芯片实现双波长输出的光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)。VECSEL所用的增益芯片发光区由两组不同发光波长的量子阱组成,其中一组发光波长较短的量子阱采用吸收区泵浦的方式,另一组发光波长较长的量子阱采用阱内泵浦方式。在VECSEL工作时,吸收区泵浦的短波长量子阱率先激射,由于发光波长较长的量子阱对短波长量子阱的强度调制效应,此时可以观察到两种波长的光谱峰值强度随时间周期性振荡,采用高灵敏探测器观察到VECSEL此时的输出激光呈现出脉冲输出形式。随着泵浦功率进一步增加,VECSEL的输出激光呈现稳定的双波长输出,激光波长峰位分别位于967.5 nm和969.8 nm。VECSEL双波长稳定输出时的最大激光功率可以达到560 mW,光斑在正交方向呈现对称高斯形貌,正交方向发散角分别为6.68°和6.87°。
- 李志伟张卓张建伟张星周寅利曾玉刚宁永强王立军
- 关键词：半导体激光器强度调制
- 一种半导体激光器件
- 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种半导体激光器件，包括：衬底；脊形波导阵列，脊形波导阵列包括基模波导阵列和耦合波导阵列，基模波导阵列包括N个基模波导，耦合波导阵列包括多个耦合波导，至少一个耦合波导具有光学损耗结构...
- 陈泳屹邱橙雷宇鑫贾鹏宋悦梁磊王玉冰曾玉刚秦莉王立军
- 布拉格反射波导光子晶体激光器工作特性研究
- 我们采用传输矩阵和Bloch波理论，对布拉格反射波导进行了分析，设计并优化了布拉格反射波导激光器结构。器件由MOCVD生长，实验制备的脊型布拉格反射波导激光器在15℃温度、连续工作条件下阈值电流仅为15．3 mA(阈值电...
- 汪丽杰佟存柱曾玉刚王立军
- 关键词：光子晶体激光器结构优化性能分析
- Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长被引量：3
- 2009年
- 采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×105cm-2。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si与Ge的界面处形成失配位错来实现的。
- 成步文薛春来罗丽萍韩根全曾玉刚薛海韵王启明
- 关键词：硅基
- 基于890 nm半导体激光器的InGaAs/GaAsP多量子阱的外延生长条件及其界面质量研究
- 2025年
- 针对传统InGaAs/GaAs量子阱在890 nm波段增益与带阶下降的问题,在势垒层引入了P元素形成InGaAs/GaAsP量子阱结构以提高量子阱的应变及导带带阶,同时将阱层数量增加到10层,实现了在890 nm波段仍具有高增益的多量子阱。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,采用生长参数组合调控的方法,外延生长了InGaAs/GaAsP多量子阱,研究了不同生长条件对InGaAs/GaAsP多量子阱界面质量及光增益特性的影响。通过对比分析最终确定了适合InGaAs/GaAsP多量子阱的最佳生长参数,并获得了高质量的InGaAs/GaAsP多量子阱外延样品。
- 慕京飞王斌周寅利陈超陈超曾玉刚张建伟刘天娇张卓徐玥辉苑高辉张继业宁永强宁永强
- 关键词：多量子阱生长温度生长速率
- 具有表面二阶金属光栅的927nm分布反馈半导体激光器的研制被引量：12
- 2011年
- 采用全息光刻和湿法腐蚀光栅技术,成功制备了表面二阶金属光栅宽条型分布反馈(DFB)半导体激光器,无需二次外延生长过程,实现了宽接触室温直流下大范围稳定单纵模工作。腔面未镀膜器件,在脉冲工作条件下,注入电流为2.28A时,单面输出功率大于600mW,斜率效率达0.37mW/mA,功率效率大于11%。在连续电流注入下,当注入电流为1.6A时,单面输出功率大于200mW,光谱线宽小于0.8nm,波长随电流的调谐系数最小为0.43nm/A;注入电流为1.0A时,水平远场发散角为2.1°。
- 仕均秀秦莉叶淑娟张楠刘云宁永强佟存柱曾玉刚王立军
- 关键词：全息光刻
- 一种半导体芯片结构
- 本发明提供了一种半导体芯片结构，半导体芯片结构包括半导体器件结构区和珀尔帖致冷结构区，且半导体器件结构区的器件侧第一半导体层和珀尔帖致冷结构区的致冷侧第一半导体层共用同一半导体层，进而通过珀尔帖致冷结构区对半导体器件结构...
- 张建伟宁永强张星曾玉刚秦莉王立军
