宋海兰
- 作品数：9 被引量：7H指数：1
- 供职机构：北京邮电大学更多>>
- 发文基金：长江学者和创新团队发展计划国家高技术研究发展计划高等学校学科创新引智计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 引入带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩探测器
- 报道了一种在倍增区引入带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩光电探测器.将Al0.4Ga0.As-Al0.2Ga0.8As - GaAs梯度结构置于探测器的高场区,并结合吸收区与倍增区分离的设计,从而实现对探测器噪声和频率响应两...
- 张帅黄永清陶彦耘张欣宋海兰任晓敏王琦黄辉
- 关键词：AVALANCHEPHOTODIODEEXCESSALGAASRCE
- 文献传递
- InGaAs/Si雪崩光电二极管被引量：5
- 2010年
- 采用Si/InP低温晶片键合技术,设计并制作了InGaAs/Si雪崩光电二极管。器件利用InGaAs做吸收层,Si做增益层,光敏面大小50μm×70μm;测试结果表明器件有正常的光响应特性,击穿电压为41V,暗电流为99nA,此时光电流比暗电流高3个数量级。
- 宋海兰黄辉崔海林黄永清任晓敏
- 关键词：雪崩光电二极管键合
- 晶片键合的硼化物表面处理剂及键合方法
- 本发明揭示了一种晶片键合的硼化物表面处理剂以及键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硼化物溶液，所述硼化物溶液含有硼酸根、硼氢根或硼酸根和硼氢根的混合物。溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水和水；溶液浓度为0.001...
- 任晓敏黄辉王文娟宋海兰王琦黄永清
- 文献传递
- 低温晶片键合技术及其在硅基长波长雪崩光电探测器中的应用研究
- 随着信息技术的迅速发展，大容量、高速率的信息传输处理能力已成为信息网络的迫切需求。用光子载体替代电子载体实现高速互连，以光子技术或光电子技术替代微电子技术，发展光集成技术或光电子集成技术，将把信息技术推向一个全新的阶段。...
- 宋海兰
- 关键词：硼化物表面处理工艺
- 晶片键合的硼化物表面处理剂及键合方法
- 本发明揭示了一种晶片键合的硼化物表面处理剂以及键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硼化物溶液，所述硼化物溶液含有硼酸根、硼氢根或硼酸根和硼氢根的混合物。溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水和水；溶液浓度为0.001...
- 任晓敏黄辉王文娟宋海兰王琦黄永清
- 文献传递
- 引入带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩探测器
- 本文报道了一种在倍增区引入带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩光电探测器。将AlGaAs-AlGaAs-GaAs梯度结构置于探测器的高场区,并结合吸收区与倍增区分离的设计,从而实现对探测器噪声和频率响应两个主要性能的优化。理论...
- 张帅黄永清陶彦耘张欣宋海兰任晓敏王琦黄辉
- 关键词：增益带宽积
- 文献传递
- 新结构雪崩光探测器的特性仿真及后工艺优化
- 2010年
- 报道了一种在倍增区引入AlxGa1-xAs带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩光探测器,并提出优化其后工艺制作的新方法。通过将Al0.4Ga0.6As(28nm)-Al0.2Ga0.8As(10nm)-GaAs(50nm)带隙梯度结引入雪崩探测器的高场区,可以实现对探测器噪声和频率响应两个主要性能的优化。数值仿真表明,该结构探测器具有较小的噪声(有效离化系数为0.1),约33GHz的3dB带宽(增益为5),在增益为15时可获得420GHz的增益带宽积。在实际的后工艺制作中,提出使用苯并环丁烯树脂进行InP/空气隙DBR反射镜与雪崩探测器结构粘合的方法,简化了工艺流程。
- 张帅黄永清陶彦耘张欣宋海兰任晓敏王琦黄辉
- 关键词：频率响应苯并环丁烯
- 基于硼酸溶液处理的GaAs/InP低温晶片键合技术被引量：1
- 2010年
- 提出了一种基于硼酸溶液的GaAs/InP低温晶片键合技术,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的高质量、低温(290℃)晶片键合。GaAs/InP键合晶片解理截面的扫描电子显微镜(SEM)图显示,键合界面整齐,没有裂缝和气泡。通过键合过程,InP上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱结构转移到了GaAs基底上。X射线衍射及荧光谱显示,键合后的多量子阱晶体质量未变。二次离子质谱(SIMS)和Raman光谱图显示,GaAs/InP键合晶片的中间层厚度约为17 nm,界面处B元素有较高的浓度,键合晶片的中间层很薄,因此可以得到较好的电学、光学特性。
- 宋海兰黄辉王文娟黄永清任晓敏
- 关键词：低温键合GAAS/INP
- 高速窄线宽可调谐的解复用光接收集成器件及其关键制备工艺
- 任晓敏黄辉黄永清王琦王兴妍刘凯马骁宇张瑞康崇英哲任爱光陈斌叶培大高俊华刘立义周震王文娟黄成崔海林苗昂李轶群雷蕾宋海兰
- 该项目发明了可控自推移动态掩模湿法刻蚀技术，在GaAs基和InP基材料系外延层上分别实现了倾角大范围精密可控、表面平整的楔形(斜镜)结构；发明了一种可用于GaAs/InP基材料之间低温、高质量晶片键合的新型表面化学处理工...
- 关键词：
