于杰
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：南京大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性模拟分析被引量：1
- 2013年
- 利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe (SGOI)和Si (SOI) p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明,与传统的SOI p-MOSFET相比,SGOI p-MOSFET的漏源饱和电流几乎要高出两倍；其亚阈值电流要高出1～3个数量级.Ge合金组分作为应变SiGe沟道MOSFET的重要参数,就不同Ge合金组分对SGOI p-MOSFET的电学特性的影响也进行了较为深入的研究.随着Ge合金组分的增大,SGOI p-MOSFET的总体电学性能有所提高.
- 于杰王茺杨洲陈效双杨宇
- 关键词：P-MOSFET
- 温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响被引量：3
- 2013年
- 本文利用二维数值模拟方法,模拟分析了不同工作温度时绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET的输出特性和亚阈值特性。结果表明:随着器件工作温度的不断提高,漏源饱和电流单调减小;亚阈值电流略有增大;亚阈值摆幅的改变量ΔS与温度基本上成线性关系;阈值电压不断地向正方向偏移。通过考虑自热效应的影响,不同Ge组分器件的漏源饱和电流均有不同程度的降低,且随着Ge组分的增加,漏源饱和电流的降低幅度增大。
- 于杰王茺杨洲胡伟达杨宇
- 关键词：温度P-MOSFET自热效应
- 绝缘层上Si/应变Si_(1-x)Ge_x/Si异质结p-MOSFET电学特性二维数值分析
- 2015年
- 对绝缘层上Si/应变Si1-xGex/Si异质结p-MOSFET电学特性进行二维数值分析,研究了该器件的阈值电压特性、转移特性、输出特性.模拟结果表明,随着应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分增大,器件的阈值电压向正方向偏移,转移特性增强;当偏置条件一定时,漏源电流的增长幅度随着Ge组分的增大而减小;器件的输出特性呈现出较为明显的扭结现象.
- 杨洲王茺于杰胡伟达杨宇
- 关键词：P-MOSFET扭结
